I. Основные понятия.
Первым делом определимся с некоторыми важными понятиями.
Электронный элемент – это конструктивно самостоятельное образование,
выполняющее одну элементарную функцию (резисторы, конденсаторы, катушки
индуктивности).
Электронная схема реализуется на основе многих дискретных элементов
(запоминающий элемент, усилительный каскад, логический элемент).
Функциональный модуль образуется при соединении нескольких элементарных
схем в одну конструктивно законченную сборочную единицу.
Узел – конструктивное объединение нескольких модулей.
Использование специальной технологии изготовления тонких слоев различной
проводимости на изоляционной подложке или целенаправленное изменение
проводимости в определенных зонах полупроводникового материала позволило
реализовать и объединить различные электрические функции в едином
технологическом процессе. При установке такого элемента в корпус с
необходимыми выводами получают микросхему (МС). Одна МС заменяет
несколько элементарных схем, выполненных на основе дискретных элементов.
В настоящее время используют две разновидности технологических процессов
изготовления МС: 1) тонкопленочные процессы, 2) полупроводниковые
процессы.
Так как тонкопленочная технология позволяет изготовлять только пассивные
элементы, а полупроводниковая-активные элементы, то целесообразно
использовать их комбинацию. Это приводит к созданию гибридных
интегральных МС. Понятия плёночная технология включает в себя процессы
термовакуумного испарения и катодного распыления, также трафаретная
печать. А теперь обо всем по порядку.
II. Пленочные ИС.
Пленочные ИС имеют подложку (плату) из диэлектрика (стекло, керамика и
др.). Пассивные элементы, т. е резисторы, конденсаторы, катушки и
соединения между элементами, выполняются в виде различных пленок,
нанесенных на подложку. Активные элементы (диоды, транзисторы) не
делаются пленочными, так как не удалось добиться их хорошего качества.
Таким образом, пленочные ИС содержат только пассивные элементы и
представляют собой ДС-цепи или какие-либо другие схемы.
Принято различать ИС тонкопленочные, у которых толщина пленок не более 2
мкм, и толстопленочные, у которых толщина пленок значительно больше.
Разница между этими ИС заключается не столько в толщине пленок, сколько
в различной технологии их нанесения.
Подложки представляют собой диэлектрические пластинки толшиной 0.5—1,0
мм. тщательно отшлифованные и отполированные. При изготовлении пленочных
резисторов на подложку наносят резистивные пленки. Если сопротивление
резистора не должно быть очень большим, то пленка делается из сплаэа
высокого сопротивления, например из нихрома. А для резисторов высокого
сопротивления применяется смесь металла с керамикой. На концах
резистивной пленки делаются выводы в виде металлических пленок, которые
вместе с тем являются линиями, соединяющими резистор с другими
элементами. Сопротивление пленочного резистора зависит от толщины и
ширины пленки, ее длиныы и материала. Для увеличения сопротивления
делают пленочные резисторы зигзагообразной формы.
Удельное сопротивление пленочных резисторов выражают в особых единицах –
омах на квадрат, так как сопротивление данной пленки в форме квадрата не
зависит от размеров этого квадрата. Действительно, если сделать сторону
квадрата, например, в два раза больше, то длина пути тока увеличится
вдвое, но и площадь поперечного сечения пленки для тока также возрастет
вдвое: следовательно, сопротивление останется без изменения.
Топкопленочные резисторы по точности и стабильности лучше
толстопленочных, но производсгво их сложнее и дороже. У тонкопленочных
резисторов удельное сопротивление может быть от 10 до 300 Ом на квадрат.
Точность их изготовления зависит от подгонки. Подгонка состоит в том,
что тем или иным способом резистивный слой частично удаляется и
сопротивление, сделанное умышленно несколько меньшим, чем нужно,
увеличивается до требуемого значения. В течение длительного времени
эксплуатации сопротивление зтих резисторов мало изменяется.
Толстопленочные резисторы имеют удельное сопротивление от 2 Ом до 1 МОм
на квадрат. Их стабильность во времени хуже, чем у тонкопленочных
резисторов.
Пленочные конденсаторы чаще всего делаются только с двумя обкладками.
Одна из них наносится на подложку и продолжается в виде соединительной
линии, затем на нее наносится диэлектрическая пленка, а сверху
располагается вторая обкладка, также переходящая в соединительную линию.
В зависимости от толщины диэлектрика конденсаторы бывают тонко- и
толсто-пленочными. Диэлектриком обычно служат оксиды кремния, алюминия
или титана. Удельная емкость может быть от десятков до тысяч пикофарад
на квадратный миллиметр, и соответственно этому при площади конденсатора
в 25 мм3 достигаются номинальные емкости от сотен до десятков тысяч
пикофарад. Точность изготовления ± 15 %.
Пленочные катушки делаются в виде плоских спиралей, чаще всего
прямоугольной формы. Ширина проводящих полосок и просветов между ними
обычно составляет несколько десятков микрометров. Тогда получается
удельная индуктивность 10—20 мГн/мм2. На площади 25 мм2 можно получить
индуктивность до 0,5 мкГн. Обычно такие катушки делаются с
индуктивностью не более нескольких микрогенри. Увеличить индуктивность
можно нанесением на катушку ферромагнитной пленки, которая будет
выполнять роль сердечника. Некоторые трудности возникают при устройстве
вывода от внутреннего конца пленочной катушки. Приходится для этого
наносить на соответствующее место катушки диэлектрическую пленку, а
затем поверх этой пленки наносить металлическую пленку — вывод.
III. Гибридные ИС.
Широкое распространение получили гибридные ИС – интегральные схемы, в
которых применяются плёночные пассивные элементы и навесные элементы
(резисторы, конденсаторы, диоды, оптроны, транзисторы), называемые
компонентами ГИС. Электрические связи между элементами и компонентами
осуществляются с помощью плёночного или проволочного монтажа. Реализация
функциональных элементов в виде ГИС экономически целесообразна при
выпуске малыми сериями специализированных вычислительных устройств и
другой аппаратуры. Высоких требований к точности элементов в ТЗ нет.
Условия эксплуатации изделия нормальные. Навесными элементами в
микроэлектронике называют миниатюрные, обычно бескорпусные диоды и
транзисторы, представляющие собой самостоятельные элементы. Иногда в
гибридных ИС навесными могут быть и некоторые пассивные элементы,
например, миниатюрные конденсаторы с такой большой емкостью, что их
невозможно осуществить в виде пленок. Это могут быть и миниатюрные
трансформаторы. В некоторых случаях в гибридных ИС навесными являются
целые полупроводниковые ИС. Проводнички от транзистора или от других
навесных элементов присоединяются к соответствующим точкам схемы чаше
всего методом термокомпрессии (провод при высокой температуре
прижимается под большим давлением).
B
D
?
?
a
e
BD¶??
?
a
Нашли опечатку? Выделите и нажмите CTRL+Enter
