.

Приборы с акустическим переносом заряда

Язык: русский
Формат: реферат
Тип документа: Word Doc
0 1120
Скачать документ

1. Техническое описание

Всякое акустоэлектронное устройство состоит из простейших элементов –
электроакустических преобразователей и звукопроводов. Кроме того,
применяются отражатели, HYPERLINK
“http://phys.web.ru/db/search.html?not_mid=1168133&words=%F0%E5%E7%EE%ED
%E0%F2%EE%F0%FB” резонаторы , многополосковые электродные структуры,
HYPERLINK
“http://phys.web.ru/db/search.html?not_mid=1168133&words=%E0%EA%F3%F1%F2
%E8%F7%E5%F1%EA%E8%E5%20%E2%EE%EB%ED%EE%E2%EE%E4%FB” акустические
волноводы , концентраторы энергии и HYPERLINK
“http://phys.web.ru/db/search.html?not_mid=1168133&words=%F4%EE%EA%F3%F1
%E8%F0%F3%FE%F9%E8%E5%20%F3%F1%F2%F0%EE%E9%F1%F2%E2%E0” фокусирующие
устройства , а также активные, нелинейные и управляющие элементы. Для
возбуждения и приема объемных волн в акустоэлектронике используются
HYPERLINK
“http://phys.web.ru/db/search.html?not_mid=1168133&words=%EF%FC%E5%E7%EE
%FD%EB%E5%EA%F2%F0%E8%F7%E5%F1%EA%E8%E5%20%EF%F0%E5%EE%E1%F0%E0%E7%EE%E2
%E0%F2%E5%EB%E8” пьезоэлектрические преобразователи : HYPERLINK
“http://phys.web.ru/db/search.html?not_mid=1168133&words=%EF%FC%E5%E7%EE
%FD%EB%E5%EA%F2%F0%E8%EA%E8” пьезоэлектрические пластинки (на частотах
до 100 МГц), пьезополупроводниковые преобразователи с запирающим или
HYPERLINK
“http://phys.web.ru/db/search.html?not_mid=1168133&words=%E4%E8%F4%F4%F3
%E7%E8%EE%ED%ED%FB%EC%20%F1%EB%EE%E5%EC” диффузионным слоем (в
диапазоне частот 50-300 МГц), HYPERLINK
“http://phys.web.ru/db/search.html?not_mid=1168133&words=%EF%EB%E5%ED%EE
%F7%ED%FB%E5%20%EF%F0%E5%EE%E1%F0%E0%E7%EE%E2%E0%F2%E5%EB%E8” пленочные
преобразователи (на частотах выше 100 МГц). HYPERLINK
“http://phys.web.ru/db/search.html?not_mid=1168133&words=%E3%E8%EF%E5%F0
%E7%E2%F3%EA” Гиперзвуковые волны часто возбуждаются с поверхности
пьезоэлектрического звукопровода, торец которого для этих целей помещают
в зазор СВЧ-резонатора или замедляющую СВЧ-систему. Для возбуждения и
приема ПАВ используются главным образом встречно-штыревые
преобразователи, представляющие собой периодическую структуру
HYPERLINK
“http://phys.web.ru/db/search.html?not_mid=1168133&words=%EC%E5%F2%E0%EB
%EB” металлических HYPERLINK
“http://phys.web.ru/db/search.html?not_mid=1168133&words=%FD%EB%E5%EA%F2
%F0%EE%E4” электродов , нанесенных на пьезоэлектрический HYPERLINK
“http://phys.web.ru/db/search.html?not_mid=1168133&words=%EA%F0%E8%F1%F2
%E0%EB%EB” кристалл . На основе перечисленных элементов создаются
различные акустоэлектронные устройства. К линейным пассивным
акустоэлектронным устройствам относят устройства частотной фильтрации
(фильтры), акустические линии задержки, согласованные (оптимальные)
фильтры, или дисперсионные линии задержки, кодирующие и декодирующие
устройства. Наибольшее распространение получили акустические фильтры
(пьезоэлектрические, электромеханические, фильтры на объемных волнах и
ПАВ). Опи применяются в различных системах связи от радиовещания и
телевидения до космической связи и радиолокации для выделения полезного
сигнала на фоне HYPERLINK
“http://phys.web.ru/db/search.html?not_mid=1168133&words=%EF%EE%EC%E5%F5
%E8” помех , для интегрирования (накапливания) сигнала с определенными
характеристиками, для изменения частотного спектра сигнала. Акустические
линии задержки изготавливаются на времена задержки от нескольких
HYPERLINK
“http://phys.web.ru/db/search.html?not_mid=1168133&words=%ED%E0%ED%EE%F1
%E5%EA%F3%ED%E4%E0” нс до десятков HYPERLINK
“http://phys.web.ru/db/search.html?not_mid=1168133&words=%EC%E8%EB%EB%E8
%F1%E5%EA%F3%ED%E4%E0” мс с рабочими частотами от нескольких МГц до
нескольких ГГц. Дисперсионные линии задержки, в которых время задержки
зависит от HYPERLINK
“http://phys.web.ru/db/search.html?not_mid=1168133&words=%F7%E0%F1%F2%EE
%F2%E0_%E2%EE%EB%ED%FB” частоты , применяются в качестве оптимальных
фильтров для обработки линейно частотно-модулированных сигналов.
Включение активных элементов в акустические линии задержки позволяет
усиливать акустические сигналы и превращает их в активные устройства.
Усиление УЗ-сигнала может осуществляться сверхзвуковым HYPERLINK
“http://phys.web.ru/db/search.html?not_mid=1168133&words=%E4%F0%E5%E9%F4
%EE%EC%20%ED%EE%F1%E8%F2%E5%EB%E5%E9” дрейфом носителей . Режим
усиления при определенных условиях может быть переведен в режим
генерации УЗ-волны. Этот эффект используется для создания
акустоэлектронных генераторов HYPERLINK
“http://phys.web.ru/db/search.html?not_mid=1168133&words=%EC%EE%ED%EE%F5
%F0%EE%EC%E0%F2%E8%F7%E5%F1%EA%E8%E9_%F1%E8%E3%ED%E0%EB”
монохроматических сигналов и сигналов со сложным спектром.
Акустоэлектронное взаимодействие (АЭВ) – взаимодействие HYPERLINK
“http://www.nature.ru/db/search.html?not_mid=1168222&words=%E7%E2%F3%EA”
акустических волн с HYPERLINK
“http://www.nature.ru/db/search.html?not_mid=1168222&words=%FD%EB%E5%EA%
F2%F0%EE%ED%E0%EC%E8%20%EF%F0%EE%E2%EE%E4%E8%EC%EE%F1%F2%E8”
электронами проводимости в HYPERLINK
“http://www.nature.ru/db/search.html?not_mid=1168222&words=%EF%EE%EB%F3%
EF%F0%EE%E2%EE%E4%ED%E8%EA” полупроводниках и HYPERLINK
“http://www.nature.ru/db/search.html?not_mid=1168222&words=%EC%E5%F2%E0%
EB%EB” металлах . Смещение атомов HYPERLINK
“http://www.nature.ru/db/search.html?not_mid=1168222&words=%EA%F0%E8%F1%
F2%E0%EB%EB%E8%F7%E5%F1%EA%E0%FF_%F0%E5%F8%E5%F2%EA%E0” решетки ,
вызванное HYPERLINK
“http://www.nature.ru/db/search.html?not_mid=1168222&words=%F3%EB%FC%F2%
F0%E0%E7%E2%F3%EA” УЗ -волной, приводит к изменению HYPERLINK
“http://www.nature.ru/db/search.html?not_mid=1168222&words=%E2%ED%F3%F2%
F0%E8%EA%F0%E8%F1%F2%E0%EB%EB%E8%F7%E5%F1%EA%EE%E5_%EF%EE%EB%E5”
внутрикристаллических полей , что сказывается на распределении и
характере движения HYPERLINK
“http://www.nature.ru/db/search.html?not_mid=1168222&words=%FD%EB%E5%EA%
F2%F0%EE%ED%FB_%EF%F0%EE%E2%EE%E4%E8%EC%EE%F1%F2%E8” электронов
проводимости . В свою очередь перераспределение электронов и их
направленное движение изменяют картину HYPERLINK
“http://www.nature.ru/db/search.html?not_mid=1168222&words=%E4%E5%F4%EE%
F0%EC%E0%F6%E8%E8” деформаций , а следовательно, и характер
распространения акустической волны в HYPERLINK
“http://www.nature.ru/db/search.html?not_mid=1168222&words=%EA%F0%E8%F1%
F2%E0%EB%EB” кристалле .

При АЭВ происходит обмен HYPERLINK
“http://www.nature.ru/db/search.html?not_mid=1168222&words=%FD%ED%E5%F0%
E3%E8%FF” энергией и HYPERLINK
“http://www.nature.ru/db/search.html?not_mid=1168222&words=%E8%EC%EF%F3%
EB%FC%F1” импульсом между УЗ-волной и электронами проводимости.
Передача энергии от волны к электронам приводит к дополнительному
HYPERLINK
“http://www.nature.ru/db/search.html?not_mid=1168222&words=%FD%EB%E5%EA%
F2%F0%EE%ED%ED%EE%E5_%EF%EE%E3%EB%EE%F9%E5%ED%E8%E5_%F3%EB%FC%F2%F0%E0%E
7%E2%F3%EA%E0” электронному поглощению УЗ , а передача импульса – к
HYPERLINK
“http://www.nature.ru/db/search.html?not_mid=1168222&words=%E0%EA%F3%F1%
F2%EE%FD%EB%E5%EA%F2%F0%E8%F7%E5%F1%EA%E8%E9_%FD%F4%F4%E5%EA%F2”
акустоэлектрическому эффекту . Когда в проводнике имеет место
направленное движение электронов со HYPERLINK
“http://www.nature.ru/db/search.html?not_mid=1168222&words=%F1%E2%E5%F0%
F5%E7%E2%F3%EA%EE%E2%E0%FF_%F1%EA%EE%F0%EE%F1%F2%FC” сверхзвуковой
скоростью , они отдают часть энергии своего направленного движения
HYPERLINK
“http://www.nature.ru/db/search.html?not_mid=1168222&words=%E2%EE%EB%ED%
E0” волне , в результате чего возникает HYPERLINK
“http://www.nature.ru/db/search.html?not_mid=1168222&words=%F3%F1%E8%EB%
E5%ED%E8%E5” усиление УЗ. Кроме того, вследствие АЭВ в проводниках
возникает ряд специфических механизмов нелинейности акустических волн,
обусловливающих разнообразные нелинейные эффекты.

AЭВ представляет собой взаимодействие HYPERLINK
“http://www.nature.ru/db/search.html?not_mid=1168222&words=%FD%EB%E5%EA%
F2%F0%EE%ED” электронов с колебаниями длинноволновой части
акустического HYPERLINK
“http://www.nature.ru/db/search.html?not_mid=1168222&words=%F1%EF%E5%EA%
F2%F0” спектра (h( 2. Физические механизмы действующие в эффекте Поглощение лазерного излучения в твердом теле и последующая релаксация фотовозбуждения приводят к деформации кристаллической решетки, что проявляется в виде упругих волн распространяющихся из области фотовозбуждения. При этом возбуждение акустических волн в среде возможно за счет различных механизмов. Их можно разделить на два класса - линейный и квадратичный по амплитуде электромагнитного поля. Линейные по полю механизмы - пьезоэлектрический и пьезомагнитный - приводят к возбуждению звука той же частоты, что и электромагнитная волна. При этих механизмах происходит фактически в квазистационарном поле. Поэтому при воздействии лазерного излучения на вещество возбуждение звука происходит за счет квадратично-нелинейных по полю эффектов: электро- и магнитострикции, теплового эффекта и деформационного механизма. В этом случае акустические колебания возбуждаются не на частоте световой волны, а на частоте модуляции интенсивности, которая уже попадает в акустический диапазон. Фактически электрострикция может быть существенна только в прозрачных средах и на высоких ультразвуковых частотах. В области звуковых и ультразвуковых частот основным механизмом возбуждения звука является тепловой. Исключения из этого правила возможны в тех случаях, когда поглощенная световая энергия преобразуется в тепловую не сразу либо не полностью. Длительная задержка между моментом поглощения света и моментом, когда поглощенная энергия полностью преобразуется в тепловое движение среды, может реализоваться если энергии оптических квантов достаточно для отрыва валентных электронов от атомов. Это связано с тем, что рождающийся свободный электрон может длительное время не возвращаться в равновесное состояние. Отрыв электронов приводит к изменению сил взаимодействия между атомами. В случае твердых тел это должно повлечь за собой изменение плотности вещества, совершенно не связанное с его нагревом. Такой механизм оптической генерации звука называется деформационным. При использовании лазеров видимого и инфракрасного диапазонов длин волн данный механизм оптико-акустического эффекта может играть важную роль в полупроводниковых материалах. Числовые оценки показывают, что в таких полупроводниках как Ge, Si, GaAs деформационный механизм на порядок эффективнее, чем тепловой. Однако в общем случае насыщение роста концентрации фотовозбужденных носителей может приводить к существенному преобладанию теплового механизма. Уровень акустического сигнала пропорционален переменной части светового потока. Поскольку лазеры импульсного действия позволяют получать существенно более высокие интенсивности света, чем лазеры непрерывного действия является типичным возбуждение широкого акустического спектра- звуковых видеоимпульсов. В конечном итоге рассмотренные выше механизмы приводят к генерации продольных и поперечных волн. В продольной волне, или волне сжатия-разряжения смещение частиц происходит вдоль волнового вектора. Распространение такой волны сопровождается изменением расстояния между частицами среды и, как следствие, локальным изменением плотности среды. Существование поперечных волн в твердом теле обусловлено деформацией сдвига, т.е. деформацией кристалла без изменения объема. Следует отметить, что для ограниченной среды уравнения движения должны рассматриваться совместно с граничными условиями для механических и электрических величин. В частности, для свободной поверхности граничное условие заключается в отсутствии механических напряжений. Граничным условием для вектора электрической индукции является непрерывность его нормальных составляющих в отсутствии поверхностных зарядов. Поверхностные акустические волны (ПАВ), упругие волны, распространяющиеся вдоль свободной поверхности твердого тела или вдоль границы твердого тела с другими средами и затухающие при удалении от границ. ПАВ бывают двух типов: с вертикальной поляризацией, у которых вектор колебательного смещения частиц среды расположен в плоскости, перпендикулярной к границе (вертикальная плоскость), и с горизонтальной поляризацией, у которых вектор смещения частиц среды параллелен границе и перпендикулярен направлению распространения волны. величину порядка длины волны SYMBOL 108 \f "Symbol" \s 14 l . Вдоль границы двух твердых сред, плотности и модули которых не сильно различаются, плотности и модули упругости которых не сильно различаются, может распространяться ПАВ Стоунли, состоящая как бы из двух рэлеевских волн (по одной в каждой среде). Фазовая скорость волн Стоунли меньше сl и ct в обеих граничных средах. Кроме ПАВ рэлеевского типа, существую волны с горизонтальной поляризацией (волны Лява), которые могут распространятся на границе твердого полупространства с твердым слоем. Это волны поперечные. Их фазовая скорость заключена в пределах между фазовыми скоростями поперечных волн в слое и полупространстве. Волны Лява распространяются с дисперсией; при малых толщах слоя их фазовая скорость стремиться к скорости ct в полупространстве. На границах кристаллов могут существовать все те же типы ПАВ, что и в изотропных твердых телах. Только движение частиц в волнах усложняется. Так, на некоторых плоскостях кристаллов, обладающих пьезоэлектрическими свойствами. Волны Лява подобно волнам Рэлея могут существовать на свободной поверхности (без твердого слоя); это т. н. электрозвуковые волны. Наряду с обычными волнами Рэлея, в некоторых образцах кристаллов вдоль свободной границы может распространяться затухающая волна, излучающая энергию в глубь кристалла (псевдорэлеевская волна). Наконец, в пьезополупроводниковом кристалле возможно воздействие ПАВ с электронами проводимости, приводящее к усилению этих волн. В бесконечной пластине существуют два типа нормальных волн: волны Лэмба и сдвиговые нормальные волны. Плоская волна Лэмба характеризуется двумя составляющими смещений, одна из которых параллельна направлению распространения волны, другая перпендикулярна граням пластины. По характеру распределения смещений относительно средней плоскости пластины волны Лэмба делятся на симметричные и антисимметричные. Частный случай симметричной волны Лэмба - продольная волна в пластине, а антисимметричной - изгибная волна. В плоской сдвиговой нормальной волне смещения параллельны граням пластины и одновременно перпендикулярны направлению распространения волны. Простейший вид такой волны - нормальная волна нулевого порядка, в которой смещения одинаковы во всех точках поперечного сечения пластины. На поверхности полубесконечной пьезоэлектрической среды возможно распространение поперечной поверхностной волны, поляризованной параллельно поверхности, и с глубиной проникновения тем меньшей, чем сильнее пьезоэлектрические свойства среды. Это так называемые акустоэлектрические волны или волны Гуляева-Блюштейна. По сравнению с рэлеевскими волнами, глубина проникновения волны Гуляева-Блюштейна вглубь образца существенно больше и может превышать величину 100 SYMBOL 108 \f "Symbol" \s 14 l . Для существования поверхностной акустоэлектрической волны кроме выполнения механических и электрических граничных условий должны быть выполнены условия определенного расположения элементов симметрии кристалла относительно саггитальной плоскости. Обнаружено, что с ростом жидкости скорость волны увеличивается, достигает максимума, а затем уменьшается. Величина положительного изменения скорости волны растет с уменьшением диэлектрической проницаемости жидкости varepsilonlq и может достигать 6% для ниобата калия при varepsilonlq=2.5. Показано, что существует критическое значение локализации волны, при превышении которого аномальный резистоакустический эффект в такой структуре исчезает. В системе полупространство-слой чисто механическое возмущение границы приводит к образованию сдвиговой волны Лява. Волны Лява находят некоторое применение на практике в лабораторных исследованиях. В теории эти волны часто используют в качестве простейшей модели поверхностных волн, так как расчеты для волн Лява существенно проще, чем для волн Рэлея. Так же следует отметить случай, когда на поверхности имеются неровности. Приповерхностная жесткость в такой системе меньше за счет наличия канавок, что приводит к образованию сдвиговых поверхностных волн (СПВ). Скорость волны в приповерхностной области уменьшается, так как волна как бы обегает выступы, проходя при этом больший путь. В данной работе проводится исследование распространения рэлеевской волны по поверхности твердого тела, которая имеет как случайные неоднородности (шероховатая поверхность) так и искусственные дефекты представляющие из себя наноразмерную периодическую структуру. потенциалы: (1) независимы и записываются в виде: , (2) даются формулами: . (3) Используя эти выражения и закон Гука для изотропного тела, можно записать отличные от нуля компоненты тензора напряжений: , , , (4) , -плотность упругого тела). Решения уравнений (2), описывающие поверхностную акустическую волну, имеют вид: , (5) , -коэффициенты, описывающие спадание волн сжатия и сдвига в глубь поверхности. Из условия существования ненулевых решений получается уравнение Рэлея . (6) можно представить в виде: , (7) . (8) . При этом интенсивно генерируется отраженная волна. 3. Количественные характеристики эффекта В замкнутой цепи или электрического напряжения на концах разомкнутого проводника при распространении в нем акустической волны находит проявление акустоэлектрического эффекта - появление в проводнике постоянного тока . Акустоэлектрический эффект возникает из-за увлечения носителей тока акустической волной вследствие акустоэлектронного взаимодействия, при котором часть импульса, переносимого волной, передается электронам проводимости, в результате чего на них действует средняя сила, направленная в сторону распространения волны. В соответствии с этим акустоэлектрический эффект меняет знак при изменении направления волны на противоположное. Передача импульса от волны электронам сопровождается поглощением звуковой энергии, поэтому действующая на электрон сила пропорциональна коэффициенту электронного поглощения звука ae и интенсивности акустической волны I. Плоская волна, интенсивность которой при прохождении слоя толщиной x: уменьшается за счет электронного поглощения на величину aeIx, передает в среду механический импульс eq \f (aeIx;v ) , приходящийся на nexэлектронов слоя (vs - скорость звука. ne - концентрация свободных электронов). Следовательно, на отдельный электрон действует средняя сила (9) Под действием этой силы появляется акустоэлектрический ток, плотность которого ((- подвижность электронов) определяется соотношением J=( eq \f (aeI;v) (10) (соотношение Вайнрайха). В случае произвольных акустических полей выражение для акустоэлектрического тока получается как среднее по времени значение произведения переменной концентрации свободных носителей eq \x \to (n) , возникающих под действием акустических полей в проводнике, и их переменной скорости eq \x \to (v) . J=e{ eq \x \to (n) eq \x \to (v) } (11) (e - заряд электрона). Если рассматривать акустическую волну с частотой (и волновым вектором eq \x \to (k) как поток когерентных фононов, каждый из которых несет энергию h( и импульс hk. При поглощении фонона электрон получает дополнительную скорость, н результате чего появляется электрический ток (2). На концах проводника возникает эдс, индуцированная звуковой волной (акустоэдс): U= eq \f (ae(I0;a(v) (1-exp[-aL]) (12) где L - длина проводника. I0 - интенсивность звука на входе образца, - a=ae+a0 коэффициент поглощения звука, учитывающий как электронное поглощение ae так a0 н решеточное a0 , (- проводимость образца. За счет сильного пьезоэлектрического взаимодействия электронов проводимости с акустической волной на частотах (0,5 – 1)10-2c-1 и образцах длиной около 1 см возникает акустоэдс нескольких вольт при интенсивности звука 1 Вт/см2. В сильных электрических полях акустоэлектрический эффект имеет место даже в отсутствие внешней волны, из-за того что в полупроводнике происходит генерация и усиление фононов внутри конуса углов ( вокруг направления дрейфа носителей, для которых vdcos(>vв-. Сила, действующая
на носители со стороны нарастающего фононного потока, имеет направление,
противоположное дрейфу носителей. В результате происходит их эффективное
торможение, приводящее к неоднородному перераспределению электрического
поля в образце и падению полного тока в нем. На опыте этот эффект
обычно наблюдается но отклонению электрического тока через образец от
его омического значения J0=(UL, где U – приложенное к образцу
напряжение. Для комнатных температур, когда длина свободного пробега
электрона много меньше длины волны (kle4. Практическое использование эффекта в функциональной электронике Изготовление акустической интегральной схемы на поверхности пьезоэлектрического звукопровода включает в себя следующие этапы: — изготовление фотошаблона; — металлизация рабочей поверхности звукопровода; — изготовление самой схемы с помощью фотолитографии. Рассмотрим подробнее каждую из отмеченных операций. Изготовление фотошаблона следует за расчетами самой схемы по заданным параметрам акустоэлектронного устройства. Начинается изготовление фотошаблона из вычерчивания изображения координатографом, который вырезает на нанесенной на прозрачную основу непрозрачной пленке контуры изображения. После удаления ограниченных замкнутым контуром участков на пленке получается изображение, соответствующее многократно увеличенному изображению структуры акустоэлектронного устройства. Рабочее поле координатографа позволяет вычерчивать первичный оригинал с размерами до 1000X1000 мм. Минимальный размер элемента — 0,2—0,5 мм, точность положения — 0,01 мм. Большое развитие получили автоматические координатографы с программным управлением. В комплексе с электронно-вычислительной машиной программный координатограф позволяет автоматизировать все операции, существующие между выдачей исходных данных на конструкцию акустоэлектронного устройства и получением первичного оригинала. Дальнейшим этапом является изготовление промежуточного фотошаблона, который создается пересъемом вычерченного на координатографе первичного оригинала. Эта пересъемка осуществляется на различных редукционных камерах, которые обеспечивают уменьшение первичного изображения в 5—60 раз. Съемки выполняются на высококачественных фотопластинках. Наряду с вариантом технологического цикла изготовлений промежуточного шаблона, включающем вычерчивание первичного оригинала и пересъем его на редукционной камере, существует и другой вариант, использующий процесс фотонабора. Практически операция фотонабора сводится к формированию изображения непосредственно в размерах промежуточного фотошаблона. Все изображение при этом разбивается на элементарные прямоугольники с различными размерами и ориентацией. В фотонаборной установке (генераторе изображения) имеется наборная диафрагма, расположенная в предметной плоскости объектива. Световой поток от лампы вспышки через конденсорную систему линз падает на наборную щелевую диафрагму. Ширина, длина и угол поворота щели диафрагмы изменяются с помощью трех управляющих электродвигателей, которые приводят в движение две подвижные пластины диафрагмы. Световой поток, прошедший диафрагму, фокусируется высокоразрешающим объективом на фотопластинку, расположенную на координатном столе. Координатный стол с помощью двух серводвигателей перемещается по осям X и У. Таким образом, световое пятно, соответствующее выбранной диафрагме, проектируется с уменьшением в нужное место на фотопластине. Известные фотонаборные установки хорошо стыкуются с ЭВМ, что позволяет значительно упростить технологический цикл изготовления шаблона. В дальнейшем изготовляют рабочий фотошаблон. Метод последовательного уменьшения предполагает 2—3 этапа уменьшения первичного оригинала в процессе пересъема. Второй этап может быть совмещен с мультишцированием изображения. При этом уже при пересъеме получают окончательный (рабочий) фотошаблон. Этот метод получения рабочего шаблона применяется при невысоких требованиях к изображению: минимальный размер элемента — 5—7 мкм, точность положения элемента — 2—5 мкм. Прецизионные же «высокочастотные» фотошаблоны проходят еще один обязательный этап уменьшения, осуществляемый с помощью вторичного пересъема. Устройства, осуществляющие вторичную пересъемку, получили название фотоповторителей или мультипликаторов. Для акустоэлектронных устройств это означает размещение на фотошаблоне различных изображений, соответствующих преобразователям, суммирующим шинам, отражательным структурам и другим элементам. Для реализации требуемой структуры на звукопроводе создается либо комплект рабочих шаблонов, либо один сложный шаблон, содержащий полное изображение всей структуры. Шаблоны комплекта снабжаются метками для последующего совмещения. Независимо от выбранного метода последующей фотолитографии на поверхность звукопровода должно быть нанесено проводящее покрытие. Металлизация рабочей поверх ности звукопровода производится чаще всего вакуумным способом. К металлической пленке на рабочей поверхности звукопровода предъявляются следующие требования: малая толщина (Литература Кравченко А.Ф. Физические основы функциональной электроники: Учебное пособие. - Новосибирск: Изд-во Новосиб. ун-та, 2000. Щука А.А. Функциональная электроника: Учебник для вузов: - М.: МИРЭА, 1998. Микроэлектроника и полупроводниковые приборы. Сб. статей.// Под ред. А.А. Васенкова и Я.А. Федотова. Вып. 10 - М.: Радио и связь, 1989. Росадо " Физическая электроника и микроэлектроника", М.:Высшая школа, 1991, 351 с. Литовченко В.Г., Горбань А.П. "Основы физики микроэлектронных систем металл-диэлектрик-полупроводник",Киев, Наукова думка, 1978, 316 с. Войцеховский А.В., Давыдов В.Н. "Фотоэлектрические МДП-структуры из узкозонных полупроводников", Томск, Радио и связь, 1990, 327 с. Ю.Р. Носов, В.А. Шилин "Основы физики приборов с зарядовой связью", М.: Наука, 1996, 320 с. Приборы с зарядовой связью, под ред. М.Хоувза, Д.Моргана,М.:Энергоатомиздат, 1991, 376 с. Приборы с зарядовой связью, под ред. Д.Ф. Барба, М.:Мир, 1982, 240 с. Секен К., Томпсет М. "Приборы с зарядовой связью", М.:Мир, 1978. Ландау Л. Д., Лифшиц Е. М., Теория упругости, 3 изд., М., 1985. Викторов И. А. «Звуковые поверхностные волны в твердых телах», М., 1991. Рис.1. Система координат к вопросу о распространении рэлеевской волны. n C3 u0i u0i C2 h 2a C1/ X Z б) а) Рис.3. uX 2 1 0 uZ X q Y

Нашли опечатку? Выделите и нажмите CTRL+Enter

Похожие документы
Обсуждение

Ответить

Заказать реферат!
UkrReferat.com. Всі права захищені. 2000-2020