.

Нобелевская премия в облости физики за 2000г. (Ж. Алферов)

Язык: русский
Формат: реферат
Тип документа: Word Doc
0 331
Скачать документ

Жорес Иванович Алферов родился в Белоруссии , в Витебске, 15 марта 1930
г. Необычное имя – Жорес отец, старый большевик, дал ему в честь Жана
Жореса, основателя Французской социалисти- ческой партии. Детство,
война, школа, Победа…

В 1953г. выпускник факультета электроники Леннинградского
электротехнического института имени В. И. Ленина стал младшим научным
сотрудником Физико-технологического института АН СССР имени А. Ф.
Иоффе. С первых дней работы молодой ученый принял участие в работах по
традиционной для института тематике – физике полу-проводников. В начале
1950-х шли активные исследования полу-проводниковых устройств –
транзисторов, созданных в 1949 г. в США Дж. Бардиным, У.Браттейном и У.
Б. Шокли. Одновременно проводились интенсивное изучение свойств
полупроводников. Вот тут-то и встали проблемы очистки полупроводников и
их легирования. Кандидатская диссертация Жореса Алферова, защищенная в
1961 г., и была посвящена способам получения сверхчистых германиевых и
кремниевых кристаллов.

Получение сверхчистых полупроводников стало очень важным этапом на пути
создания новых полупроводников. При изучении эпитаксии обнаружилось, что
этот процесс возможен не только при кристаллиза- ции одного вещества.
Подложка и нарастающий кристалл могут иметь различную природу. Меняя
параметр одной из решеток (например, вводя примеси), можно управлять ее
свойствами. Вот тут-то и прозвучало новое слово – гетеропереход (контакт
двух различных по своему химическому составу полупроводников).

После защиты кандидатской диссертации Жорес Алферов принялся за
исследование гетеропереходов. Младший научный сотрудник Физтеха быд
упрямым, целеустремленным и чистолюбивым. Исполь-зуя опыт полученя
сверхчистых проводников, наращивания эпитаксиальных слоев, он учился
воздействовать на свойства полу-проводниковых гетеропереходов,
анализировал особенности получен-ных структур, их чувствительность к
внешним воздействиям – свету, изменению температуры, элетрическим и
магнитным полям. Тонкий физический эксперимент – дело увлекательное, но
невероятно трудо-емкое. Успех достается не просто талантливому – успех
достоется талантливому и трудолюбивому. Ж. Алферов заканчивал работу в
час ночи.

Шестидесятые и семидесятые годы были своеобразным временем в мире и в
Советском Союзе. Холодная война. Государство понимало, что без развитой
науки в современном мире безопасности быть не может. Финансирование
научных исследований было в то время самым высоким в истории России. И
ученым, несмотря ни на что, давали возможность регулиярно знакомится с
научными достижениями зарубежных коллег, да и общаться они могли – на
симпозиумах, кон-грессах конференциях… Жизнь советских людей трудно было
назвать обеспеченной и комфортной, но ученный физик имел возможность
работать и не думать о куске хлеба… И если не обращать внимания на
бытовые проблемы вроде отсутствия нормального жилья, – жизнь мог-ла
считаться просто замечательной.

К Алферову приходило уважение все более широкого круга коллег.

Его необычное имя приобретало международную известность.

В 1964 г.он впервые попал во Францию, на международную кон-ференцию
по физике полупроводнеков. Французы совершенно точно знали, что Жорес –
это фамилия (вспомнили Жана Жореса), стало быть, Алферов – это такое
русское имя. У русских всякое бывало – Маркслен, Трактор, Ревмира
(Революция Мировая)… Как раз тогда дети, рожденные в 1920 – 30-е годы и
“награжденные” такими фантастическими именами, выросли и начали
приобретать известность… И французы – члены оргкомитета – выдали Ж.
Алфе-рову нагрудный значок с надписью “А. Жорес”. Можно было при-нять
как данность, но Алферов нашел изящный выход. Он превратил букву “А” в
радиотехнический символ полупроводникового диода, а после слова “Жорес”
приписал – “Алферов”. Так американские физики побежали в оргкомитет с
обидой – почему русскому значок выдали ‘фирменнее”, чем всем остальным…

В том же году статус Алферова в Физтехе повысился: он стал старшим
научным сотрудником. Спустя три года он уже возглавил собственную
лабораторию, в которой велись исследования полупроводниковых
гетеропереходов.

Многослойные полупроводники усложнялись, в них вносились все новые и
новые добавки, тончайшие слои – в несколько атомов! – укладывались в
заданные конструкции. Крохотные кристаллики оказались способными
заменить громадные, состоящие из сотен и тысяч элементов радиосхемы – с
резисторами, конденсаторвами, лампами. Появились полупроводниковые
усилители, светоизлучаю-щие диоды, полупроводниковые фотоэлементы,
солнечные батареи.

Заслуга Жореса Ивановича Алферова получали все более и более широкое
признание. Уважение колег, авторитет в науке. Кажется, не жизнь , а
безупречное триумфальное шествие человека, которому все возможное и
невозможное судьба преподнесла на блюдечке с золотой каемочкой. Так ли
это на самом деле?

страсть, и отречение от нее – смерти подобно, и невозможность
по-работать это как невозможность поесть, даже, пожалуй, хуже.

Первый брак Жореса Ивановича распался. Почему? Сам Алферов
рассказывает: “В пер-вый раз я женился очень быстро. И почти сразу
понял: совершил огромную ошибку. Разводится очень долго – полтора года.
Я оставил свою комнату бывшей жене. И дочке”.

Нормальный человек, оказавшись, по сути дела, на улице, начал бы
метаться в поисках жилья. Но Алферов не стал терять на это время. Домом
для бездомного физика стал родной Физтех.

Работы по исследованию полупроводников продолжались.

Появились полупроводнековые лазеры. В отличие от лазеров других типов
в полупроводниковых используются квантовые пере-ходы между
энергетическими уровнями гете-роструктурного полупроводника. В
полупроводниковой активной среде можно добиться очень больших
показателей оптичес-кого уселения света, необходимых для создания
лазерного излучения. Благодаря этому обстоя-тельству размеры активного
элемента полупроводникового лазера очень малы – от 50 мкм до 1 мм. Такой
лазер не только компактен – у него малая инерционность (проще говоря, он
начинает работать сразу после включения – разогреваться ему не надо),
высокий для лазера коэффицент полезного действия – до 50 процентов и
самое главное –длина волны такого лазера может быть при необходимости
изменена.

Долго физики не могли решить очень важную проблему –
полу-проводниковые лазеры устойчиво работали только при низких
температурах. Например, первые лазеры, созданные на соединениях галлия и
мышьяка, работали в диапозоне от 4о до 20о К! Понятно, что массовое
использование такого прибора нереально Лаборатория Алферова добилась
своего – полупроводниковые лазеры зароботали

при комнатных температурах.

…Думать о житейских неурядицах было некогда, надо было работать. Тем
более что где-то в Америке, голова в голову, к тем же целям шли
американские ученые. Соперники? Да. Соратники? Несомненно. Научные
заслуги Жореса Ивановича Алферова они ценили не меньше, чем свои,
советские коллеги. Соперничество в науке не было антогоническим.

Жизнь продолжалась Жорес Иванович встретил женщину, которая стала ему
женой и верным другом. Он увидел ее на пляже в Сочи – поехал с другом
отдохнуть на майские праздники. Симпатичная женщина оказалась серьезным
инженером и так же , как и Алферов, понимающей влюбленность в науку: она
работала на одном из пред-приятий, занимающихся разработкой космической
техники. И Алфе-ров начал летать из Ленинграда в Москву – на свидания.
Каждую неделю. На выходные. Тамара Георгиевна переехала в Ленинград –
она поняла, что больше не может расстаться с Физтехом. В 1972г. у них
родился сын Иван, и в том же году Жорес Иванович был избран
членом-корреспондентом Академии наук СССР.

К Алферову пришло международное признание. Я позволю себе привести
список наград, присужденных Жоресу Ивановичу:

медаль Баллантайна от Франклиновского института (США, 1971)

Ленинская премия (СССР, 1972)

Премия компании Хьюлетт-Паккард (США, 1978)

Государственная премия (СССР, 1984)

Премия международного симпозиума по соединениям GaAs и медаль Х.Уолкера
(1987)

Премия Карпинского (ФРГ, 1989)

Премия Илффе (РАН, 1996)

Похожие документы
Обсуждение
    Заказать реферат
    UkrReferat.com. Всі права захищені. 2000-2019