Реферат на тему:
Транзистори НВЧ.
Ці транзистори є видозміненими звичайними транзисторами. Розглянемо
характеристики та фізику роботи звичайного транзистора.
– характеристична частота, зараз досягли 110 ГГц і навіть 250 ГГц.
Серійно випуск до 40 ГГц.
.
:
.
– транзистори. Іноді використовують транзистори з гетеропереходами, де
теж досягається дуже висока рухливість (НЕМТ – транзистори).
Розглянемо конкретні схеми:
Польовий транзистор. Чим більше “-“ на затворі, тим менша провідність
транзистора завдяки області “+” – заряду на підкладці.
Важливо, щоб транзистор був геометрично включений прямо в лінію. В
мікроелектроніці немає можливості створити транзистори, що будуть
“стирчати” зовні.
Існує й інший, більш високочастотний варіант підключення:
Польові транзистори на гетеропереходах. Оскільки різниця між рівнями не
змінюється, бо це атомні рівні, то маємо розриви на переході: електрони
накопичуються в ямі А.
Оскільки справа є домішки, а зліва, де накопичились електрони, домішок,
на яких може осісти електрон, немає, то електрони більш вільно
рухаються, тобто їх рухливість зростає.
Структура:
Біполярні транзистори. На НВЧ ці транзистори гірше. База – дуже мала за
розмірами. Це необхідно для збільшення частоти, але при цьому виникають
зворотні струми.
необхідно мінімальний потік дірок в емітер. При малих шарах коефіцієнт
підсилення менший. Проблеми розв’язують за допомогою гетеропереходу
(див. Мал. нижче): в такому випадку завада для дірок більша, ніж для
електронів.
+ + +
n н/п
В
З
С
–
В
З
С
n+ GaAs
n+
лінія
лінія
земля
земля
перемички
В
З
С
С
З
В
В
лінія
лінія
земля
земля
А
N+ GaAs
N- AlxGa1-xAs
N+ AlxGa1-xAs
В
З
С
метал
р GaAs
Кишеня, де накопичуються електрони.
Нашли опечатку? Выделите и нажмите CTRL+Enter