.

Транзистори НВЧ (реферат)

Язык: украинский
Формат: реферат
Тип документа: Word Doc
870 1748
Скачать документ

Реферат на тему:

Транзистори НВЧ.

Ці транзистори є видозміненими звичайними транзисторами. Розглянемо
характеристики та фізику роботи звичайного транзистора.

– характеристична частота, зараз досягли 110 ГГц і навіть 250 ГГц.
Серійно випуск до 40 ГГц.

.

:

.

– транзистори. Іноді використовують транзистори з гетеропереходами, де
теж досягається дуже висока рухливість (НЕМТ – транзистори).

Розглянемо конкретні схеми:

Польовий транзистор. Чим більше “-“ на затворі, тим менша провідність
транзистора завдяки області “+” – заряду на підкладці.

Важливо, щоб транзистор був геометрично включений прямо в лінію. В
мікроелектроніці немає можливості створити транзистори, що будуть
“стирчати” зовні.

Існує й інший, більш високочастотний варіант підключення:

Польові транзистори на гетеропереходах. Оскільки різниця між рівнями не
змінюється, бо це атомні рівні, то маємо розриви на переході: електрони
накопичуються в ямі А.

Оскільки справа є домішки, а зліва, де накопичились електрони, домішок,
на яких може осісти електрон, немає, то електрони більш вільно
рухаються, тобто їх рухливість зростає.

Структура:

Біполярні транзистори. На НВЧ ці транзистори гірше. База – дуже мала за
розмірами. Це необхідно для збільшення частоти, але при цьому виникають
зворотні струми.

необхідно мінімальний потік дірок в емітер. При малих шарах коефіцієнт
підсилення менший. Проблеми розв’язують за допомогою гетеропереходу
(див. Мал. нижче): в такому випадку завада для дірок більша, ніж для
електронів.

+ + +

n н/п

В

З

С

В

З

С

n+ GaAs

n+

лінія

лінія

земля

земля

перемички

В

З

С

С

З

В

В

лінія

лінія

земля

земля

А

N+ GaAs

N- AlxGa1-xAs

N+ AlxGa1-xAs

В

З

С

метал

р GaAs

Кишеня, де накопичуються електрони.

Нашли опечатку? Выделите и нажмите CTRL+Enter

Похожие документы
Обсуждение

Ответить

Курсовые, Дипломы, Рефераты на заказ в кратчайшие сроки
Заказать реферат!
UkrReferat.com. Всі права захищені. 2000-2020