I. Анализ электрической схемы
Расчёт мощностей рассеяния Pi
Для упрощения расчётов Pi резисторов R4, R5, R8, R9, R10, R12 и R19
преобразуем выделенную часть схемы рис.1 (только те ветви, на которых
находятся вышеуказанные резисторы) в эквивалентную (рис.2). Рассчитываем
токи в контурах эквивалентной схемы рис.2 методом контурных токов.
I111(R4+R19+R8+R12)-I222(R19+R12)-I444R4=0
I222(R19+R12+R10)-I111(R19+R12)-I333R10=0
I333(R10+R5+R9)-I222R10-I444R5=0
I444(R4+R5)-I111R4-I333R5=E
= 111059850000 – 49237209000 – 11055924000 = 50766717000
= 345450 + 16405950 = 16751400 ;
I111 = =
0,000329968 A
=
775500 + 16250850 = 17026350 ;
I222 = = 0,000335384 A
= 25030500 – 10804500 + 11399850 = 25625850 ;
I333 = = 0,00050478 A
= 164059500 – 72390150 = 91669350 ;
I444 = = 0,0018057 A
Зная контурные токи, мы можем рассчитать:
I4 = I444 – I111 = 0,0018057 – 0,000329968 = 0,001475732 A
I5 = I444 – I333 = 0,0018057 – 0,00050478 = 0,00130092 A
I8 = I111 = 0,000329968 A
I9 = I333 = 0,00050478 A
I10 = I333 – I222 = 0,00050478 – 0,000335384 = 0,000169396 A
I12 = I19 = I222 – I111 = 0,000335384 – 0,000329968 = 0,000005416 A
Теперь рассчитываем токи на остальных резисторах:
Для расчёта тока на резисторах R11, R13 и R14 представим конденсатор на
9-ом выводе как резистор с самым большим сопротивлением, которое только
имеем на схеме УПЧ и схеме его включения (Rдобавочное=22000+22000=44000
Om см. паспорт МС), т.е.:
Для более точного подсчёта I15 – I18 подробнее рассмотрим транзистор V1:
где ( – коэффициент передачи тока ((КТ317А ( 70)
II. Разработка маршрутного технологического процесса изготовления
микросхемы.
Наиболее простым способом формирования рисунка микросхемы является
напыление элементов через свободные маски. Если при этом зазор между
маской и подложкой отсутствует, линейные размеры элементов строго
соответствуют размерам щелей в маске (метод контактной маски). Наличие
зазора между подложкой и маской, устранить который полностью невозможно,
приводит к образованию «зоны размытости» рисунка. Причём размер этой
зоны, как показывает практика, увеличивается с ростом толщины маски и
клинообразности профиля её вырезов. С уменьшением же толщины снижается
жёсткость маски и увеличивается её «провисание» над подложкой, что, в
свою очередь, также приводит к росту зоны размытости.
Напыление резистивных и проводниковых плёнок выполняется в одной
вакуумной камере в непрерывном процессе. Для сублимации применяют
резистивный испаритель, покрытый гальваническим слоем сублимируемого
вещества либо стержень из спрессованного и спёченного порошка
сублимируемого вещества, а вещества, плохо взаимодействующие с
тугоплавкими материалами испаряют из жидкого состояния. Напыления ведут
на подогретые подложки, температуру которых регулируют изменением тока
нагревателя. При достижении требуемой температуры подложек испаритель
подводят на позицию испарения и подают на него напряжение. При нагреве
испарителя вакуум в камере ухудшается, так как с поверхности испарителя
происходит выделение газов. После окончания газовыделения и
восстановления вакуума открывают заслонку и напыляют пленку
сублимируемого вещества. При достижении требуемой толщины плёнки
заслонку закрывают, на позицию переводят следующую подложку и так
процесс продолжают для напыления плёнки на все подложки.
Нанесение Нанесение
проводников
резистивного слоя и контактных
площадок
Маска
Подложка
III. Расчёт геометрических размеров плёночных элементов.
Прежде всего, для расчёта геометрических размеров резисторов нужно найти
мощность P, рассеиваемую каждым резистором. Рассеиваемая мощность на
резисторе находится по формуле:
(1), где i – номер
элемента.
Применяя формулу (1) найдём Pi для каждого резистора (см. таблицу
1).
Так как резисторы R1, R5, R7, R9, R10, R14, R15, R18 меньше 1000 Ом, то
размещать их будем на другом слое.
Теперь, для того, чтобы выбрать материал, из которого будут
изготавливаться резистивные плёнки, проводники и контактные площадки
нужно найти удельное поверхностное сопротивление резистивной плёнки для
каждого слоя по формуле (значения Rопт см. таблицу 1):
Зная Rопт для каждого слоя, можем выбрать материал резистивной плёнки,
контактных площадок и проводников, а также температурный коэффициент
сопротивления ( и допустимую удельную мощность рассеяния P0
соответствующий выбранному материалу:
I слой: резистивная плёнка – нихром, проволока Х20Н80 (ГОСТ 12766-67)
Контактные площадки
и проводники – медь
( = 1(10-4
P0 = 2 Вт/см2
II слой: резистивная плёнка – кермет К-50С (ЕТО.021.013 ТУ)
Контактные площадки
и проводники – золото с подслоем хрома
(нихрома)
( = -4(10-4
P0 = 2 Вт/см2
Зная величину каждого резистора и Rо слоя, в котором он находятся, можно
найти коэффициент формы для каждого резистора данного слоя:
где Кф – коэффициент формы плёночного элемента (значения Кф см. в
таблице 1).
Теперь рассчитаем погрешность коэффициента формы:
Таблица 1.
Номер
R I Pi Резистор Ri 1/Ri Rопт Kф
1 0,0034543 0,008113888 R1 680 0,0014706 245,636 2,76832341
2 0,002651 0,007027801 R2 1000 0,001 4918,03 0,20333344
3 0,0008033 0,00212946 R3 3300 0,000303 4918,03 0,67100036
4 0,00147573 0,00718669 R4 3300 0,000303 4918,03 0,67100036
5 0,00130092 0,000169239 R5 100 0,01 245,636 0,40710638
6 0,00047755 0,002280587 R6 10000 0,0001 4918,03 2,03333441
7 0,00047755 0,000107188 R7 470 0,0021277 245,636 1,9134
8 0,00032997 0,001633183 R8 15000 6,667E-05 4918,03 0,20333344
9 0,00050478 2,54803E-05 R9 100 0,01 245,636 1,9134
10 0,0001694 1,34867E-05 R10 470 0,0021277 245,636 1,9134
11 3,4178E-06 1,16814E-08 R11 1000 0,001 4918,03 0,20333344
12 5,416E-06 1,37865E-07 R12 4700 0,0002128 4918,03 0,95566717
13 0,00032308 0,00156571 R13 15000 6,667E-05 4918,03 3,05000161
14 0,00032723 5,03286E-05 R14 470 0,0021277 245,636 1,9134
15 0,00100583 5,15964E-05 R15 51 0,0196078 245,636 0,20762426
16 0,00100583 0,004754962 R16 4700 0,0002128 4918,03 0,95566717
17 1,4167E-05 3,01056E-06 R17 15000 6,667E-05 4918,03 3,05000161
18 1,4167E-05 1,24436E-07 R18 620 0,0016129 245,636 2,52405958
19 5,416E-06 2,93331E-07 R19 10000 0,0001 4918,03 2,03333441
1).Для резисторов с 1 ( K Ф ( 10
Рассчитываем длину резисторов:
где h – длина перекрытия для плёночных элементов, расположенных в разных
слоях (h ( 0,2 мм).
2).Для резисторов с 0,1 ( KФ ( 1
Рассчитываем длину резисторов:
Рассчитываем ширину резисторов:
Площадь резисторов равна:
Значения ширины, длины и площади каждого резистора см. таблицу 2.
Проверка:
1).
Таблица 2.
Номер
2).
3).
Результаты проверки см. в таблице 2.
330I111-147I222-33I444=0
-1470I111+1517I222-47I333=0
-47I222+67I333-10I444=0
-3300I111-100I333+3400I444=5
Нашли опечатку? Выделите и нажмите CTRL+Enter
