.

Решение контрольной работы по элементной базе радиоэлектронной аппаратуры (контрольная)

Язык: русский
Формат: контрольна
Тип документа: Word Doc
0 398
Скачать документ

1

17

Контрольная работа № 2

по дисциплине: “ Элементная база радиоэлектронной аппаратуры “.

Аннотация.

Целью работы является активизация самостоятельной учебной работы,
развитие умений выполнять информационный поиск, пользоваться справочной
литературой, определять параметры и характеристики, эквивалентные схемы
полупроводниковых приборов.

Исходные данные:

Тип транзистора ……………………………………………ГТ310Б

Величина напряжения питания Еп ………………………….. 5 В

Сопротивление коллекторной нагрузки Rк ………………1,6 кОм

Сопротивление нагрузки Rн ……………………………… 1,8 кОм

Схема включения транзистора с общим эмиттером, с фиксированным током
базы, с резистивно – ёмкостной связью с нагрузкой.

Биполярный транзистор ГТ310Б.

Краткая словесная характеристика:

Транзисторы германиевые диффузионно- сплавные p-n-p усилительные с
нормированным коэффициентом шума высокочастотные маломощные.

Предназначены для работы в усилителях высокой частоты. Выпускаются в
металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа
приводится на этикетке.

Масса транзистора не более 0,1 г..

Электрические параметры.

Коэффициент шума при ѓ = 1,6 МГц, Uкб= 5 В, IЭ= 1 мА не более 3 дБ

Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала при Uкб= 5 В, IЭ= 1
мА, ѓ = 50 – 1000 Гц 60 – 180

Модуль коэффициента передачи тока H21э при Uкб= 5 В, IЭ= 5 мА, ѓ = 20
МГц не менее 8

Постоянная времени цепи обратной связи при Uкб= 5 В, IЭ= 5 мА, ѓ = 5 МГц
не более 300 пс

Входное сопротивление в схеме с общей базой при Uкб= 5 В, IЭ= 1 мА 38
Ом

Выходная проводимость в схеме с общей базой при Uкб= 5 В, IЭ= 1 мА, ѓ =
50 – 1000 Гц не более 3 мкСм

Ёмкость коллектора при Uкб= 5 В, ѓ = 5 МГц не более 4 пФ

Предельные эксплуатационные данные.

Постоянное напряжение коллектор- эмиттер: при Rбэ= 10 кОм 10В при Rбэ=
200 кОм 6 В

Постоянное напряжение коллектор- база 12 В

Постоянный ток коллектора 10 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Т = 233 – 308 К 20 мВт

Тепловое сопротивление переход- среда 2 К/мВт

Температура перехода 348 К

Температура окружающей среды От 233 до 328 К

Примечание. Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность
коллектора, мВт, при Т = 308 – 328 К определяется по формуле:

PК.макс= ( 348 – Т )/ 2

Входные характеристики.

Для температуры Т = 293 К :

Iб, мкА

200160

120804000,050,10,150,20,250,30,35Uбэ,В Выходные характеристики.

Для температуры Т = 293 К :

Iк ,

мА

9

87

6

5

43

2

10123456Uкэ,В

Нагрузочная прямая по постоянному току.

Уравнение нагрузочной прямой по постоянному току для схемы включения с
общим эмиттером:

Построим нагрузочную прямую по двум точкам:

при Iк= 0, Uкэ= Еп = 9 В, и при Uкэ= 0, Iк= Еп / Rк = 9 / 1600 = 5,6 мА

Iк ,

мА 6

54

А3

Iк021012345

Uкэ06789

Еп Uкэ,В

Iб, мкА

504030

Iб020100

0,150,170,190,210,230,250,270,29

Uбэ00,31Uбэ,В

Параметры режима покоя (рабочей точки А):

Iк0= 3 мА, Uкэ0= 4,2 В, Iб0= 30 мкА, Uбэ0= 0,28 В

Величина сопротивления Rб:

Определим H–параметры в рабочей точке.

Iк ,

мА

6

5

4ДIк0

3

ДIк 21012345

Uкэ06789

Еп Uкэ,В ДUкэ

Iб, мкА5040

ДIб30

Iб020100

0,150,170,190,210,230,250,270,29

Uбэ00,31Uбэ,В ДUбэ

ДIк0= 1,1 мА, ДIб0 = 10 мкА, ДUбэ = 0,014 В, ДIб = 20 мкА, ДUкэ= 4 В,
ДIк= 0,3 мА

H-параметры:

Определим G – параметры.

Величины G-параметров в рабочей точке определим путём пересчёта матриц:

G-параметр:

G11э= 1,4 мСм, G12э= – 0,4*10 –6

G21э= 0,15 , G22э= 4,1*10 –3 Ом

Определим величины эквивалентной схемы биполярного транзистора.

Схема Джиаколетто – физическая малосигнальная высокочастотная
эквивалентная схема биполярного транзистора:

Величины элементов физической эквивалентной схемы транзистора и
собственная постоянная времени транзистора определяются соотношениями
(упрощёнными):

Собственная постоянная времени транзистора:

Крутизна:

Определим граничные и предельные частоты транзистора.

Граничная частота коэффициента передачи тока:

Предельная частота коэффициента передачи тока базы в схеме с общим
эммитером:

Максимальная частота генерации:

Предельная частота коэффициента передачи тока эммитера в схеме с общим
эммитером:

Предельная частота проводимости прямой передачи:

Определим сопротивление нагрузки транзистора и построим нагрузочную
прямую.

Сопротивление нагрузки транзистора по переменному току:

Нагрузочная прямая по переменному току проходит через точку режима
покоя

Iк0= 3 мА, Uкэ0= 4,2 В и точку с координатами:

Iк= 0, Uкэ= Uкэ0+ Iк0*R~= 4,2 + 3*10 –3 * 847 = 6,7 В

Iк ,

мА 6

54

А3

Iк021012345

Uкэ06789

Еп Uкэ,В

Определим динамические коэффициенты усиления.

Iк ,

мА 6

5

А4

ДIк 3

Iк0

21012345

Uкэ06789

Еп Uкэ,В ДUкэ

Iб, мкА5040

ДIб30

Iб020100

0,150,170,190,210,230,250,270,29

Uбэ00,31Uбэ,В ДUбэ

ДIк= 2,2 мА, ДUкэ= 1,9 В, ДIб = 20 мкА, ДUбэ = 0,014 В

Динамические коэффициенты усиления по току КI и напряжению

КU определяются соотношениями:

Выводы:

Данная работа активизировала самостоятельную работу, развила умение
выполнять информационный поиск, пользоваться справочной литературой,
определять параметры и характеристики, эквивалентные схемы
полупроводниковых транзисторов, дала разностороннее представление о
конкретных электронных элементах.

Библиографический список.

1) “Электронные приборы: учебник для вузов” Дулин В.Н., Аваев Н.А.,
Демин В.П. под ред. Шишкина Г.Г. ; Энергоатомиздат, 1989 г.

2) Батушев В.А. “ Электронные приборы: учебник для вузов”; М.: Высш.шк.,
1980г.

3) Батушев В.А. “ Электронные приборы: учебник для вузов”; М.: Высш.шк.,
1969г.

4) Справочник “ Полупроводниковые приборы: транзисторы”; М.:
Энергоатомиздат, 1985г.

5) Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным
схемам; М.: Энергия, 1976г.

6) Справочник “ Транзисторы для аппаратуры широкого применения ”; М.:
Радио и связь, 1981г.

Нашли опечатку? Выделите и нажмите CTRL+Enter

Похожие документы
Обсуждение

Оставить комментарий

avatar
  Подписаться  
Уведомление о
Заказать реферат
UkrReferat.com. Всі права захищені. 2000-2019