.

Основные положения расчета надежности функционального узла печатной платы (контрольная)

Язык: русский
Формат: контрольна
Тип документа: Word Doc
70 569
Скачать документ

МIНIСТЕРСТВО ОСВIТИ I НАУКИ УКРАЇНИ

ХАРКIВСЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНIВЕРСИТЕТ

РАДIОЕЛЕКТРОНIКИ

Кафедра РЕС

КОНТРОЛЬНА РОБОТА

з дисципліни

“СИСтеми зв’язку“

Виконав: Перевірив:

ст. гр. ТЗТ доц. каф.

Харків 2010

Основные положения расчета надежности функционального узла печатной
платы

Надежность – свойство изделия выполнять заданные функции, сохраняя
эксплуатационные показатели в заданных пределах в течении требуемого
промежутка времени. Надежность так же можно определить как физическое
свойство изделия, которое зависит от количества и от качества входящих в
него элементов, а так же от условий эксплуатации. Надежность
характеризуется отказом.

Отказ – нарушение работоспособности изделия. Отказы могут быть
постепенные и внезапные.

Постепенный отказ – вызывается в постепенном изменении параметров
элементов схемы и конструкции.

Внезапный отказ – проявляется в виде скачкообразного изменения
параметров радиоэлементов (РЭ).

Все изделия подразделяются на восстанавливаемые и невосстанавливаемые.

В работе изделия существуют 3 периода.

1 – период приработки, характеризуется приработочными отказами.

2 – период нормальной эксплуатации, характеризуется внезапными отказами.

3 – период износа – внезапные и износовые отказы.

Понятие надежности включает в себя качественные и количественные
характеристики.

Качественные:

– безотказность – свойство изделия непрерывно сохранять
работоспособность в течении некоторого времени или некоторой наработки

– ремонтопригодность – свойство изделия, приспособленность к :

предупреждению возможных причин возникновения отказа

обнаружению причин возникшего отказа или повреждения

устранению последствий возникшего отказа или повреждения путем ремонта
или технического обслуживания

– долговечность – свойство изделия сохранять работоспособность до
наступления предельного состояния (состояние при котором его дальнейшее
применение или восстановление невозможно)

– сохраняемость – сохранение работоспособности при хранении и
транспортировке.

– вероятность безотказной работы:

-изд*t Р = e , (1)

где е – основание натурального логарифма;

сх – интенсивность отказа схемы;

t – заданное время работы схемы.- средняя наработка на отказ:

Тср. = 1/сх , (2)

– интенсивность отказа схемы:

изд. = nR + nC + … + платы + пайки , (3)

где n – интенсивность отказов всех элементов данной группы;

платы – интенсивность отказов печатной платы;

пайки – интенсивность отказа всех паек.

Надежность элементов функционального модуля является одним из факторов,
существенно влияющих на интенсивность отказа изделия в целом.
Интенсивность отказов элементов зависит от конструкции, качества
изготовления, от условий эксплуатации и от электрических нагрузок в
схеме.

Коэффициент нагрузки:

– для транзисторов

K=Pc/Pc max , (4)

где Рс – фактическая мощность, рассеиваемая на коллекторе,

Рс max – максимально допустимая мощность рассеивания на коллекторе.

– для диодов

K=I/Imax , (5)

где I – фактически выпрямленный ток,

Imax – максимально допустимый выпрямленный ток.

– для конденсаторов

K=U/Uн , (6)

где U – фактическое напряжение,

Uн – номинальное напряжение конденсатора.

– для резисторов ,трансформаторов и микросхем

К=Р/Рн , (7)

где Р – фактическая мощность рассеивания на радиокомпоненте,

Рн – номинальная мощность.

При увеличении коэффициента нагрузки, интенсивность отказа
увеличивается. Интенсивность отказа увеличивается так же, если
радиокомпонент эксплуатируется в более жестких условиях: с повышенной
температурой окружающего воздуха и влажности, увеличенных вибрациях,
ударах и т. д.

В настоящее время наиболее изучено влияние на надежность коэффициента
нагрузки и температуры.

Интенсивность отказов при заданном значении температуры окружающей среды
и нагрузки определяется по формуле:

=о* . (8)

Фактическая мощность резистора R1

P, Вт

0,056Фактическая мощность резистора R2

P, Вт

0,05Фактическая мощность резистора R3

P, Вт

0,066Фактическая мощность резистора R4

P, Вт

0,029Фактическая мощность резистора R5

P, Вт

0,061Фактическая мощность резистора R6

P, Вт

0,016Фактическая мощность резистора R7

P, Вт

0,087Фактическая мощность резистора R8

P, Вт

0,044Фактическое напряжение пьезокерамического излучателя звука BF1

U, В

4,32Фактическая мощность , рассеиваемая на коллекторе транзистора VT1

P, Вт

4,5Фактический ток диода VD1I , мА200Фактическое напряжение конденсатора
С1

U, В

23,5Фактическое напряжение конденсатора С2

U, В

34,02Фактическое напряжение конденсатора С3

U, В

35,21Фактическое напряжение конденсатора С4

U, В

21,4Фактическое напряжение конденсатора С5

U, В

12,08Фактическое напряжение микросхемы 1-К561ЛА7

U, В

6,24Фактическое напряжение микросхемы 2-

К561ЛА7

U, В

5,78Фактическое напряжение микросхемы 3-К561ЛА7

U, В

5,27Фактическое напряжение микросхемы 4-К561ЛА7

U, В

6,15

Номинальная

мощность резистора R1

P, Вт

0,125Номинальная мощность резистора R2

P, Вт

0,125Номинальная мощность резистора R3

P, Вт

0,125Номинальная мощность резистора R4

P, Вт

0,125Номинальная мощность резистора R5

P, Вт

0,125Номинальная мощность резистора R6

P, Вт

0,125Номинальная мощность резистора R7

P, Вт

0,125Номинальная мощность резистора R8

P, Вт

0,125Номинальное напряжение пьезокерамического излучателя звука BF1

U, В

12Максимальная мощность , рассеиваемая на коллекторе транзистора VT1

P, Вт

8Максимальный ток диода VD1I , мА200Номинальное напряжение конденсатора
С1

U, В

35Номинальное напряжение конденсатора С2

U, В

50Номинальное напряжение конденсатора С3

U, В

50Номинальное напряжение конденсатора С4

U, В

25Номинальное напряжение конденсатора С5

U, В

16Номинальное напряжение микросхемы 1-К561ЛА7

U, В

10Номинальное напряжение микросхемы 2-К561ЛА7

U, В

10Номинальное напряжение микросхемы 3-К561ЛА7

U, В

10Номинальное напряжение микросхемы 4-К561ЛА7

U, В

10

kR10,4480 R10,5*10^7 R10,3R10,15*10^7kR20,40 R20,5*10^7
R20,22R20,11*10^7kR30,5280 R30,5*10^7 R30,3R30,15*10^7kR40,2320
R40,5*10^7 R40,18R40,09*10^7kR50,4880 R50,5*10^7
R50,3R50,15*10^7kR60,1280 R60,5*10^7 R60,18R60,09*10^7kR70,6960
R70,5*10^7 R70,52R70,26*10^7kR80,3520 R80,5*10^7
R80,22R80,11*10^7kC10,6710 C11,4*10^7 C10,6C10,84*10^7kC20,680
C21,4*10^7 C20,6C20,84*10^7kC30,7040 C31,4*10^7
C30,6C30,84*10^7kC40,8560 C41,4*10^-7 C41C40,6*10^-7kC50,7550
C52,4*10^-7 C50,9C52,16*10^-7kVD110 VD10,6*10^-7
VD11VD10,6*10^-7kVT10,5620 VT14*10^-7 VT10,65VT12,6*10^-7kBF10,360
BF10,05*10^-7 BF120BF11*10^-7k ис10,6240 ис10,8*10^-7
ис10,62ис10,5*10^-7k ис20,5780 ис20,8*10^-7 ис20,62ис20,5*10^-7k
ис30,5270 ис30,8*10^-7 ис30,62ис30,5*10^-7k ис40,6150 ис40,8*10^-7
ис40,62ис40,5*10^-7

Интенсивность отказов изделия:

изд. = nR + nC + … + платы + пайки = 46,59*10^7 (1/ч)

Вероятность безотказной работы за время Т = 1год (приблизительно 9000ч)

-изд*Т

Р = e = 0,995

Вероятность того , что в пределах заданной наработки возникнет отказ
устройства:

Q(T) = 1- P(T), Q(T) = 0,005

Следует отметить, что время наработки на отказ Т=1/изд = 214638 ч, что
превышает предусмотренные техническим заданием 20000 ч.

Нашли опечатку? Выделите и нажмите CTRL+Enter

Похожие документы
Обсуждение

Ответить

Курсовые, Дипломы, Рефераты на заказ в кратчайшие сроки
Заказать реферат!
UkrReferat.com. Всі права захищені. 2000-2020