.

Статичні вольтамперні характеристики біполярного транзистора (реферат)

Язык: украинский
Формат: реферат
Тип документа: Word Doc
0 2968
Скачать документ

Реферат на тему:

Статичні вольтамперні характеристики біполярного транзистора.

На рис. 54 показана схема заміщення біполярного транзистора. На цій
схемі функції I1=f1(Uеб), I2=f2(Uкб) описують нелінійні характеристики
емітерного та колекторного переходів. Генератор струму ?NI1 характеризує
зібраний колектором, при нормальному увімкненні транзистора (Uеб > 0,
Uкб 0, Uкб 0),
інжекційний струм колектора.

Для поданої на рис. 54 схеми можна записати:

(4_7)

(4_8)

Підставивши (4.8) в (4.7), отримаємо вирз для вхідної JЕ(UЕБ,UКБ) та
вихідної JК(UЕБ,UКБ) вольтамперних характеристик транзистора в схемі з
СБ:

Рис. 54. Схема заміщення біполярного транзистора pnp типу.

Графіки вольтамперных характеристик біполярного транзистора для схеми зі
спільною базою наведені на рис. 55. Можна виділити три основні області,
які відповідають різним режимам роботи транзистора. Побудуємо розподіл
неосновних носіїв для характерних точок, що розміщені в кожній з цих
областей (рис. 55). При побудові розподілу врахуємо, що ширина бази є
малою (W 0, Uкб pn0, pn(W)> |UT|, то pn(W) ? 0. Відповідний розподіл носіїв заряду
для т. A показаний на рис. 56. Збільшення струму емітера викличе
зростання UЕБ і, у відповідності до (4_10) зростанням pn(0) та, у
відповідності до (4_11) зростанням градієнта концентрації. Зменшення
струму емітера (напруги на емітерному переході) буде супроводжуватись
зменшенням pn(0) та зменшенням зростання градієнту.

Режим насичення (т. B та т. C на рис. 55), відповідає режимові при якому
струм колектора обмежений і не забезпечує відведення усіх інжектованих
носіїв заряду, які підходять до колектора, границі режиму насичення
визначаються умовами UЕБ > 0 та UКБ ? 0, отже, у відповідності до
(4_10), pn(0) > pn0, pn(W) ? pn0. В т. B UЕБ > 0 та UКБ = 0, відповідно
pn(0) > pn0 та pn(W) = 0. В т. C при збільшення емітерного струму
зростання UЕБ не супроводжується збільшенням колекторного струму, однак
викликає збільшення концентрації носіїв заряду біля колектора, тобто,
згідно з (4_11) напруга на колекторному переході стає більшою 0. Таким
чином в т. C UЕБ > 0 та UКБ > 0, відповідно, pn(0) > pn0 та pn(W) > pn0.
Оскільки в т. С струм такий самий, як і в т. B, градієнт концентрації
залишився попереднім.

Рис. 56. Розподіл носіїв у базі транзистора в різних режимах (положення
робочих точок див. рис. 55)

0

gd y3/4

?????Й??(0) ? pn0, pn(W) ? 0. В т. D UЕБ >
|UT|), відповідно, pn(0) 0, Uеб > 0 та Uеб > Uкб. До відмінностей
потрібно також віднести і те, що тепловий струм I*к0, що виміряний при
Iб = 0, в (?+1) разів більший, аніж струм Iк0, виміряний при Iе = 0. В
СБ меншим є вихідний опір транзистора у порівнянні зі схемою СЕ (менший
нахил вихідних ВАХ).

Використана література:

Основы промышленной электроники/ Под ред. В.Г. Герасимова. -М.: Высшая
школа, 1978.

Изъюрова Г.И., Кауфман М.С. Приборы и устройства промышленной
электроники. -М.: Высшая школа, 1975.

Миклашевский С.П. Промышленная электроника. -М.: Высшая школа, 1973.

Горбачев Г.Н., Чаплыгин Е.Е. Промышленная электроника. – М.: Высшая
школа, 1988.

Основы промышленной электроники/Под ред. В.Г. Герасимова. – М.: высшая
школа, 1982.

Гершунский В.С. Основы электроники. – К.: Вища школа, головн. из-во,
1982.

Жеребцов И.П. Основы электроники. – Л.:Энергоатомиздат, 1985.

Нагорский В.Д. Электроника и электрооборудование. – М.: Высшая школа,
1986.

Нашли опечатку? Выделите и нажмите CTRL+Enter

Похожие документы
Обсуждение

Оставить комментарий

avatar
  Подписаться  
Уведомление о
Заказать реферат!
UkrReferat.com. Всі права захищені. 2000-2020