.

Рекомбінація електронів та дірок (реферат)

Язык: украинский
Формат: реферат
Тип документа: Word Doc
0 747
Скачать документ

Реферат на тему:

Рекомбінація електронів та дірок

Міжзонна рекомбінація та рекомбінація через проміжний рівень

Взаємодія електрона та дірки може призводити до їх рекомбінації, в
результаті якої електрон повертається в валентну зону. Вільні електрон
та дірка можуть як безпосередньо рекомбінувати (міжзонна рекомбінація)
одне з другим (лівий рисунок на нижній картинці), так і через проміжний
(рекомбінаційний) центр-ловушку (правий рисунок на нижній картинці).
Ловушка захоплює спочтку носій з однієї зони (наприклад, електрон),
потім носій з іншої зони (дірку). Таким чином, електрон переходить із
зони провідності в валентну зону в два этапи. Рекомбінація через ловушки
є характерною для таких материалів як Si, Ge, GaAs, які широко
застосовуються в напівпровідникових приладах.

При рекомбинації через проміжний рівень ловушка спочатку захоплює носій
одного знаку, припустимо електрон (1), і заряжується від’ємно (2). Потім
вона захоплює носій іншого знаку – дірку (3), котра рекомбінує з
локалізованим електроном і переводить ловушку знову в нейтральний стан
(4)(див. нижній рисунок).

Таким чином, перехід електрона із зони провідності в валентну зону
відбувається у два этапи:

I – із зони провідності на рекомбінаційний рівень,

II – з рекомбінаційного рівня в валентну зону (див. верхній рисунок)

ою її рекомбинацією (4), емісія захопленого електрона (5), емісія
захопленої дірки (6).

Рівняння неперервності

Якщо в напівпровіднику відсутні потоки носіїв заряду, то зміна їх
концентрації может відбуватись тілько за рахунок генерації та
рекомбінації:

dp/dt = Gp – Rp

dn/dt = Gn -Rn,

де Gp, Gn, Rp, Rn – характеризують генерацію електронів та дірок

Однак реальні процеси завжди відбуваються при наявності потоків
заряджених частинок, тому в рівняння, що характеризує зміну заряду в
заданому об’ємі (рівняння неперервності) повинна входити складова, яка
враховуватиме потоки:

dp/dt = Gp – Rp – 1/q divJp

dn/dt = Gn – Rn + 1/q divJn,

де q – заряд електрона.

Використана література:

Основы промышленной электроники/ Под ред. В.Г. Герасимова. -М.: Высшая
школа, 1978.

Изъюрова Г.И., Кауфман М.С. Приборы и устройства промышленной
электроники. -М.: Высшая школа, 1975.

Миклашевский С.П. Промышленная электроника. -М.: Высшая школа, 1973.

Горбачев Г.Н., Чаплыгин Е.Е. Промышленная электроника. – М.: Высшая
школа, 1988.

Основы промышленной электроники/Под ред. В.Г. Герасимова. – М.: высшая
школа, 1982.

Гершунский В.С. Основы электроники. – К.: Вища школа, головн. из-во,
1982.

Жеребцов И.П. Основы электроники. – Л.:Энергоатомиздат, 1985.

Нагорский В.Д. Электроника и электрооборудование. – М.: Высшая школа,
1986.

Нашли опечатку? Выделите и нажмите CTRL+Enter

Похожие документы
Обсуждение

Оставить комментарий

avatar
  Подписаться  
Уведомление о
Заказать реферат!
UkrReferat.com. Всі права захищені. 2000-2020