Реферат на тему:
Мікросхеми та вузли комбінаційного типу
Логічні інтегральні мікросхеми
В схемах комбінаційного типу сигнал на виході залежить тільки від
вхідних сигналів. До цього класу функціональних вузлів відносяться
логічні ІМС, шифратори, дешифратори, кодоперетворювачі, пристрої
порівняння, суматори, мультиплексори. Ці вузли мають мікроелектронне
виконання, тобто є мікросхемами, але можуть бути також реалізовані на
основі декількох логічних ІМС, тобто простіших за своїм функціональним
складом. Наприклад, для виконання функції дешифратора можна вибрати
відповідну ІМС, або використати декілька логічних ІМС, з’єднавши їх в
схему дешифратора.
ІМС, які належать до однієї серії, можуть відрізнятись навантажувальною
здатністю (кількістю входів інших елементів, що можуть одночасно бути
під’єднані до виходу). Типове значення вказаного параметру не первищує
10. Але в серії ІМС включають і елементи з підвищеною навантажувальною
здатністю, які мають потужніший вихідний каскад і тому здатні керувати
не 10, а 30 або 50 елементами. Такі ІМС використовують також для роботи
на лінії передачі.
Характерною особливістю деяких ІМС є те, що в їх вихідному каскаді
відсутні резистори навантаження. Наприклад, у елементів ЕЗЛ (див.рис.3)
можуть бути відсутні вихідні резистори (R4, R5) і емітери вихідних
повторювачів виявляються “відкритими”. У елементів ТТЛ та ТТЛШ
(див.рис.4) можуть бути відсутніми опір і транзистори верхнього плеча
складного інвертора. Такі виходи називають “з відкритим колектором”. В
серіях ІМС на МДП-транзисторах також є мікросхеми з відкритим стоковим
виходом. Всі елементи з відкритим виходом (на відміну від інших
елементів) можна з’єднювати в схеми “монтажне І”. Суть такої схеми
полягає в тому, що декілька виходів елементів під’єднані до одного
навантаження з підключенням через опір до джерела живлення. Такі ІМС
також допускають під’єднання навантажень типу тиристорів, реле,
індикаторів та ін., але при умові, що струм навантаження не буде
перевищувати допустимий вихідний струм елемента. Деякі ІМС в багатьох
серіях мають виходи з трьома станами: лог.1, лог.0 та “відключено” (або
так званий стан з високим імпедансом). В стані з високим імпедансом
елемент, хоча і електирично під’єднаний до навантаження, але не віддає в
нього і не приймає від нього струм.
Логічні ІМС виконують операції кон’юнкції (І), диз’юнкції (АБО),
інверсії (НЕ) та складніші логічні операції І-НЕ, АБО-НЕ і ін.
Найзручніше стан входів та виходів логічних елементів задавати у виді
таблиць, які називаються таблицями станів (таблицями істинності).
Схемотехнічна реалізація логічних елементів у відповідності до вимог
Єдиної системи конструкторської документації (ЄСКД) та їх таблиці
істинності наведені в таблиці 6.
4
gdI7”
л може складатись з кількох логічних елементів, кожен з яких виконує
одну-дві операції з числа тих, що вказані раніше. Логічні елементи в
функціональному відношенні є автономними і застосовуються в пристрої
самостійно, незалежно від інших елементів, що входять до складу даної
ІМС. Але необхідно враховувати і те, що всі елементи однієї ІМС зв’язані
між собою колами живлення, тому якщо якийсь з елементів не
використовується, він все одно споживає потужність від джерела живлення.
Тому, для зручності конструювання пристроїв, в серіях ІМС передбачають
декілька типів логічних схем, які відрізняються кількістю логічних
елементів та кількістю їх входів.
Конструктивно логічні ІМС однієї серії об’єднані єдиною підкладкою і,
оскільки кількість виводів обмежена, то і логічних елементів в такому
корпусі можна розмістити тим менше, чим більше входів у кожного з них.
Наприклад, серія К155, мікросхеми якої випускаються в корпусах з 14 та
16 виводами, містить наступний ряд логічних мікросхем: К155ЛА1 – два
чотиривходові логічні елементи; К155ЛА2 – один восмивходовий; К155ЛА3 –
чотири двовходові; К155ЛА4 – три тривходові логічні елементи.
Таблиця 6 Основні операції логічних ІМС
Використана література:
Основы промышленной электроники/ Под ред. В.Г. Герасимова. -М.: Высшая
школа, 1978.
Изъюрова Г.И., Кауфман М.С. Приборы и устройства промышленной
электроники. -М.: Высшая школа, 1975.
Миклашевский С.П. Промышленная электроника. -М.: Высшая школа, 1973.
Горбачев Г.Н., Чаплыгин Е.Е. Промышленная электроника. – М.: Высшая
школа, 1988.
Основы промышленной электроники/Под ред. В.Г. Герасимова. – М.: высшая
школа, 1982.
Гершунский В.С. Основы электроники. – К.: Вища школа, головн. из-во,
1982.
Жеребцов И.П. Основы электроники. – Л.:Энергоатомиздат, 1985.
Нагорский В.Д. Электроника и электрооборудование. – М.: Высшая школа,
1986.
Нашли опечатку? Выделите и нажмите CTRL+Enter
