Реферат на тему:
Кількісний аналіз процесів у біполярному транзисторі.
Для того, щоб вияснити, як впливають конструктивно-технологічні
параметри біполярного транзистора на його характеристики та параметри,
необхідно проаналізувати модель транзистора на основі рішення рівняння
непрерервності. Приймемо ті ж основні припущення, які були зроблені при
виведенні вольтамперної характеристики pn переходу (п.3.1.3). Кінцевою
метою даного розгляду є виведення вольтамперних характеристик
транзистора, тобто залежностей струмів через емітерний і колекторний
переходи від прикладених до них напруг, при цьому в якості параметрів у
рівняння повинні входити електрофізичні параметри областей транзистора.
Для визначенності будемо розглядати pnp транзистор. Задача розрахунку
зводиться до знаходження електронної та діркової складових струмів
емітера і колектора:
Jе = Jpе + Jnе,
Jк = Jpк + Jnк (4_67)
При аналізі будемо дотримуватись наступної схеми розрахунку:
розв’язавши рівняння для області бази, знайдемо струми Jpе та Jpк,
розв’язавши рівняння для області колектора, знайдемо струм Jnк,
розв’язавши рівняння для області бази, знайдемо струми Jpе та Jnк,
розв’язавши рівняння для області емітера, знайдемо струм Jnе,
Використовуючи (4_67), знайдемо струми Jе та Jк.
Область бази.
Будемо вважати, що ліва межа області бази розміщена на межі області
просторового заряду (ОПЗ) емітерного переходу при x = 0, права межа бази
розміщена на межі області просторового заряду колекторного переходу при
x = w, тобто w відповідає товщині бази. Рівняння неперервності для
області бази в прийнятих припущеннях (п.3.1.3) запишеться в наступному
виді:
(4_68)
Оскільки розглядаються статичні характеристики, рівняння (4_68) прийме
вид:
(4_69)
Граничні умови запишуться так:
(4_70)
загальний розв’язок однорідного рівняння другого порядку (4_69) з
коренями характеристичного рівняння +Lp буде мати вид:
(4_71)
Використовуючи в (4_71) граничніе умови (4_70), складемо систему
лінійних рівнянь відносно A та B:
(4_72)
Розв’яжемо цю систему, використовуючи метод Крамера:
(4_73)
Підставивши значення А та B в (4_72), отримаємо:
(4_75)
Знаючи розподіл інжектованих носіїв заряду (4_75), знайдемо розподіл
дифузійного струму базою:
(4_76)
Звідки, піставивши x = 0, знайдемо діркову складову струму емітера, та,
підставивши x = w – діркову складову струму колектора:
(4_77)
(4_78)
Тепер, щоб знайти електронну складову струму емітера, розглянемо область
емітера (x Використана література:
Основы промышленной электроники/ Под ред. В.Г. Герасимова. -М.: Высшая
школа, 1978.
Изъюрова Г.И., Кауфман М.С. Приборы и устройства промышленной
электроники. -М.: Высшая школа, 1975.
Миклашевский С.П. Промышленная электроника. -М.: Высшая школа, 1973.
Горбачев Г.Н., Чаплыгин Е.Е. Промышленная электроника. - М.: Высшая
школа, 1988.
Основы промышленной электроники/Под ред. В.Г. Герасимова. - М.: высшая
школа, 1982.
Гершунский В.С. Основы электроники. - К.: Вища школа, головн. из-во,
1982.
Жеребцов И.П. Основы электроники. - Л.:Энергоатомиздат, 1985.
Нагорский В.Д. Электроника и электрооборудование. - М.: Высшая школа,
1986.
Нашли опечатку? Выделите и нажмите CTRL+Enter
