.

Енергетичний спектр електронів у напівпровідниках (реферат)

Язык: украинский
Формат: реферат
Тип документа: Word Doc
0 937
Скачать документ

Реферат на тему:

Енергетичний спектр електронів у напівпровідниках

Електрони та дірки в напівпровідниках

Під дією тепла або світла електрони можуть переходити з валентної зони в
зону провідності. Вихід електрона викличе утворення дірки, яка повинна
володіти додатнім зарядом, оскільки електрон виніс від’ємний заряд і
локальна електронейтральність порушилась. Сусідні валентніе електрони
можуть заповнювати дірку і, таким чином, вона може перемещуватися
кристалом, залишаючись у валентній зоні. Переміщення дірок буде
створювати електричний струм.

Ідеальний напівпровідник, в якому відутні домішки та дефекти,
називаеться власним. У власному напівпровіднику концентрація електронів
рівна концентрації дірок.

На енергетичному рівні в дозволеній зоні можуть знаходитись або
електрон, або дірка. Тому для ймовірності знаходження дірки на заданому
рівні можна записати fp(E)= 1 – f(E), де f(E) – ймовірність знаходження
на цьому рівні електрона. При цьому, отримуючи енергію, дірка
перемещується в глибину валентної зони.

Якщо E-F значно більше kT, то замість статистики Фермі-Дірака для
розрахунку ймовірності заповнення енергетичних станів можна скористатись
статистикой Больцмана:

^`bc

¤

`d¤

?????????&?Кількість вільних електронів та дірок відповідно в зоні
провідності та валентній зоні можна обчислити, провівши інтегрування
f(E)Nc(E) та fp(E)Nv відповідними зонами:

Використовуючи ці співвідношення, з умови електронейтральності можна
обчислити положення рівня Фермі. Дійсно:

звідки:

Тобто для власного напівпровідника рівень Фермі лежить приблизно
посередині забороненої зони та при підвищенні температури він поступово
зміщується к тієї зони, для якої ефективна маса носіїв заряду менша.

Використана література:

Основы промышленной электроники/ Под ред. В.Г. Герасимова. -М.: Высшая
школа, 1978.

Изъюрова Г.И., Кауфман М.С. Приборы и устройства промышленной
электроники. -М.: Высшая школа, 1975.

Миклашевский С.П. Промышленная электроника. -М.: Высшая школа, 1973.

Горбачев Г.Н., Чаплыгин Е.Е. Промышленная электроника. – М.: Высшая
школа, 1988.

Основы промышленной электроники/Под ред. В.Г. Герасимова. – М.: высшая
школа, 1982.

Гершунский В.С. Основы электроники. – К.: Вища школа, головн. из-во,
1982.

Жеребцов И.П. Основы электроники. – Л.:Энергоатомиздат, 1985.

Нагорский В.Д. Электроника и электрооборудование. – М.: Высшая школа,
1986.

Нашли опечатку? Выделите и нажмите CTRL+Enter

Похожие документы
Обсуждение

Ответить

Курсовые, Дипломы, Рефераты на заказ в кратчайшие сроки
Заказать реферат!
UkrReferat.com. Всі права захищені. 2000-2020