Реферат на тему:

Нобелівський лауреат Герберт Кремер (Kroemer)

за розроблення напівпровідникових гетероструктур, використовуваних у
високочастотній електроніці й оптоелектроніці

рік народження: 1928 р.

???????????гетероструктурах іншого роду, в яких електрони і дірки
просторово рознесені (In As–GaAs–A ISB). Перспективність таких структур
Кремер визначив у своїх роботах 80-х років. Нині Кремер займається
гетероструктурами “напівпровідник–надпровідник”, досліджуючи
надпровідність системи електронів квантової ями In As–A ISB на контакті
з надпровідним ніобієм. Дослідження напівпровідникових гетеростурктур
триває. Отримано ряд таких важливих фундаментальних результатів, як
спостереження бозеконденсації екситонів, блохівських осциляцій
електричного струму. Багато зроблено для розв’язання задач
функціональної електроніки, зроблено перші кроки в створенні елементної
бази квантового комп’ютера. Конкретна заслуга Кремера в цій галузі
полягає в пропозиції змінювати сполуку напівпровідникової сполуки з
координатою так, щоб плавно змінювати електронні характеристики,
наприклад, величину Eg. Виникнуте при цьому “квазіелектричне” поле, на
відміну від зовнішнього і внутрішнього електричних полів p-n переходу,
може рухати електрони і дірки в єдиному напрямі. Це знайшло широке
застосування на гетероструктурах.

Література:

Альфред Нобель. Шведський інститут, 2004 р.

Нобелівська премія перші 100 років.

Альфред Нобель і Нобелівські премії.

HYPERLINK «http://www.nobel.org.ua/» http://www.nobel.org.ua/

HYPERLINK «http://www.peoples.ru/finans/undertake/nobel/index2.html»
http://www.peoples.ru/finans/undertake/nobel/index2.html

Похожие записи