.

Дослідження процесів утворення та відпалу термодефектів в кремнії: Автореф. дис… канд. фіз.-мат. наук / О.О. Пузенко, НАН України. Ін-т фізики. — К.

Язык: украинский
Формат: реферат
Тип документа: Word Doc
0 1981
Скачать документ

НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ
ІНСТИТУТ ФІЗИКИ

ПУЗЕНКО ОЛЕНА ОЛЕКСАНДРІВНА
УДК 621.315.592.

ДОСЛІДЖЕННЯ ПРОЦЕСІВ УТВОРЕННЯ ТА
ВІДПАЛУ ТЕРМОДЕФЕКТІВ В КРЕМНІЇ

01.04.07- фізика твердого тіла

АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико- математичних наук

Київ -1999

Дисертацією є рукопис

Робота виконана у відділі фізики радіаційних процесів Інституту фізики НАН України
Науковий керівник: доктор фіз.-мат. наук, Крайчинський Анатолій Миколайович, Інститут фізики НАН України,
в.о. завідувача відділом
Офіційні опоненти : доктор фіз.-мат. наук, професор, Бабич Вілік Максимович, Інститут фізики напівпровідників НАН України, завідувач відділом.
доктор фіз.-мат. наук, професор, Данильченко Борис Олександрович, Інститут фізики НАН України, провідний науковий співробітник.
Провідна установа: Київський національний університет ім.Т.Г.Шевченка, радіофізичний факультет, кафедра напівпровідникової електроніки

Захист відбудеться “25” листопада 1999 р. о 16 год. на засіданні спеціалізованої вченої ради Д 26.159.01 в Інституті фізики НАН України за адресою: 252028, Київ – 28, пр. Науки, № 46.

Автореферат розісланий “25” жовтня 1999 р.
З дисертацією можна ознайомитись в бібліотеці Інституту фізики.

Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради Іщук В.А.

ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ

Актуальність теми Oсновним матеріалом сучасної напівпровідникової мікроелектроніки є кремній. Виробництво практично усіх кремнієвих приладів та інтегральних схем тим або іншим чином пов’язане з термічною обробкою. Тому, досить важливо встановити, які зміни відбуваються в Si в процесі термічного впливу, так як прогрівання кремнію (навіть короткочасне і при порівняно невисоких температурах) може суттєво змінити його електричні параметри, створити нові структурні дефекти та призвести до перебудови тих, що вже існують у вихідному матеріалі. Для кремнію, вирощеного методом Чохральського, ця проблема має особливе значення в зв’язку з преципітацією основної фонової домішки – кисню. Перевищуючи в більшості практично важливих випадках за концентрацією всі інші домішки, саме кисень визначає зміну властивостей Si в процесі термообробок (ТО) та під опроміненням. Це зв’язано з тим, що атоми кисню, електрично нейтральні у вихідному стані, входять до складу основних термо- та радіаційних дефектів Si (термодонорів, А-центрів).
Крім того, при вирощуванні кристалів методом Чохральського існує цілий ряд причин, що приводять до появи мікроскопічних флуктуацій домішки кисню (МФК) в їх об’ємі. Існування таких мікроскопічних неоднорідностей небажане, особливо коли МФК стають співрозмірними з розмірами елементів мікросхем. Неоднорідності просторової локалізації кисню в кремнії з розмірами менше 10 мкм (довжина хвилі оптичного поглинання атомами кисню в Si) є недоступними для дослідження традиційними прямими методами. Проте МФК відіграють суттєву роль в процесах утворення, знищення та деяких властивостях кисневмісних термо- та радіаційних дефектів. Цим зумовлено практичний інтерес дослідити залежність темпу їх генерації, дисоціації або перебудови від просторового розподілу та фазового стану кисню, наявності інших домішок, власних структурних та радіаційних дефектів. Особливістю даної роботи є спроба отримати нову інформацію про природу та властивості термодефектів в Si з аналізу впливу попередньої термообробки та опромінення саме на кінетику утворення кисневих дефектів, еволюцію їх властивостей в ході накопичення і знищення. Це і передумовило мету та конкретні напрямки її реалізації в дисертаційній роботі.
Зв’язок роботи з науковими програмами, темами. Дисертаційні дослідження зв’язані з наступними темами науково-дослідної роботи відділу фізики радіаційних процесів Інституту НАН України: “Дослідження фізичних властивостей радіаційних та термічних дефектів в об’ємі і на поверхні неметалевих кристалів перспективної мікро- та оптоелектроніки”, “Дослідження процесів взаємодії радіаційних, технологічних і термічних дефектів в кремнії, германії, сумішах Si-Ge та в мікроелектронних приладах на їх основі”.
Мета роботи – отримати нову інформацію про природу та властивості кисневих термодефектів, визначити можливі засоби підвищення термостабільності кремнієвих матеріалів для твердотільної електроніки.
Основні наукові завдання досліджень.
1. Дослідження впливу попередньої термообробки на кінетику генерації та відпалу кисневих термодонорів в монокристалічному Si.
2.Дослідження кінетики накопичення електрично активних термодефектів при різних температурах. Визначення характеристик термодефектів, що утворюються при температурі мінімуму темпа генерації термодонорів.
3. Порівняльне дослідження кінетики розпаду твердого розчину домішки кисню та зміни внутрішніх пружних напружень (ВПН) гратки Si з тривалістю високотемпературної термообробки.
Наукова новизна отриманих результатів:
1. Вперше експериментально виявлено збільшення частотного фактора  та енергії активації відпалу Еа в зразках, що пройшли попередню високотемпературну термообробку. Запропоновано інтерпретацію цього ефекту, проведено оцінку лінійних розмірів мікрофлуктуацій домішки кисню на основі аналізу кінетики накопичення та відпалу ТД-1.
2. Вперше виявлена перебудова термодонорів в Si в процесі відпалу при 5300С, а також аномально низький переріз захоплення електронів ними. Запропоновано пояснення цього факту та нечутливості до дії іонізуючої радіації, яке грунтується на врахуванні електростатичного екранування взаємодії скупчень термодонорів з рухомими зарядами.
3.Досліджено вплив термообробки при 10500 С на внутрішні пружні напруження в гратці Si. Вперше встановлено кількісний взаємозв’язок між зміною ВПН та розмірами частинок SiO2 -фази.
Практичне значення одержаних результатів.
Отримані в дисертаційній роботі експериментальні результати необхідні для розробки промислового способу контролювання неоднорідностей (з розмірами 0.1-10 мікрон) розподілу домішки кисню, які не виявляються традиційними методами вхідного контролю. Кінцевим результатом впровадження таких технологій буде значне зменшення браку в виробництві приладів мікроелектроніки, поліпшення стабільности їх роботи та швидкодії.
Особистий внесок здобувача в одержання наукових даних, викладених у дисертації, полягає в виконанні експериментальних досліджень, їх обробці та участі в теоретичному аналізі. В роботах, виконаних разом із співавторами і включених до дисертації, автор визначив зміну параметрів відпалу кисневих термодонорів, взяв участь в розробці математичної моделі процесу відпалу термодонорів в попередньо термооброблених зразках, яка дозволяє пояснити виявлену зміну [3]. Сформулював механізм аномально малої ефективності взаємодії ТД-530 з вільними носіями [1,4-7], встановив кількісний зв’язок між зростанням внутрішніх пружних напружень гратки кремнію та розмірами частинок SiO2- фази [2]. Висновки і положення сформульовані автором особисто.
Апробація результатів дисертації. Основні результати дисертаційної роботи доповідались та обговорювались на: 16-th General Conference of the Condensed Matter Division European Physical Society, Leuven, 25-28 August 1997; міждержавній конференції з фізики радіаційних явищ та радіаційному матеріалознавству, 3-10 вересня 1998р. в м.Алушта; конференції High purity silicon V (The Electrochemical Society, Inc. 10 South Main Street Pennington, New Jersey, USA); міжнародній школі-конференції в м.Трускавці, 24-29 червня 1999р.; 8-th International conference of Gettering And Defect Engineering in Semiconductor Technology GADEST’99, Hoor, Sweden, 25-28 September, 1999.
Публікації. Основний зміст роботи є узагальненням наукового доробку автора, результати якого опубліковані у 6 статтях і тезах доповідей на наукових конференціях.
Структура та обсяг роботи. Дисертаційна робота складається з вступу, п’яти розділів, заключної частини та списку використаної літератури. Основний зміст роботи викладено на 106 сторінках друкованого тексту, ілюстрованого 20 рисунками та 4 таблицями. Список літератури містить 137 найменувань.

ОСНОВНИЙ ЗМІСТ РОБОТИ

У вступі обгрунтована актуальність виконаного дослідження, конкретизовані його основні наукові завдання, викладені наукова новизна та практична значимість отриманих результатів. Відзначено особистий внесок здобувача.

В першому розділі представлено огляд основних літературних даних про фазовий стан домішки кисню в Si, особливості розпаду пересиченого твердого розчину Оі , розглянуто основні існуючі моделі термодонорів, а також особливості поведінки термодонорів, пов’язані з неоднорідністю просторового розподілу кисню. На основі аналізу цих даних показано зв’язок кінетики накопичення та відпалу кисневмісних дефектів з домішково-дефектним станом кристалу. Особливу увагу приділено ролі мікронеоднорідного розподілу домішки кисню та кисневмісних дефектів. На цій основі сформульована постановка задачі дослідження: з аналізу кінетики генерації та відпалу кисневмісних термодефектів отримати додаткову інформацію про ступінь неоднорідності їх розподілу, про вплив такої неоднорідності на властивості термодефектів та на поведінку параметрів Si при термообробках.
Конкретні експериментальні задачі, які заплановано розв’язати були наступними:
1. Дослідити вплив термічної передісторії на кінетику накопичення та відпалу ТД-1.
2. Дослідити особливості кінетики накопичення та зміни енергетичних характеристик термодефектів, які виникають в Si при термообробці в проміжному інтервалі температур між ТД-1 та ТД-2.
3. Дослідити кінетику розпаду твердого розчину Оі та зміни внутрішніх пружних напружень в гратці Si в ході преципітації кисню при 10500С.

В другому розділі описано основні експериментальні методики, що застосовувались в даній роботі (термообробки та опромінення кристалів кремнію, виміри ефекту Холла, питомого електроопору, ІЧ- поглинання, DLTS). Викладено методики обробки експериментальних даних.

В третьому розділі представлено результати досліджень впливу попередньої термообробки при 8000 С (ПТО-800) на кінетику генерації та відпалу кисневих термодонорів, що утворюються в Si при 4500 С.
Ефективність утворення кисневмісних термодонорів (ТД) в області 450 0С суттєво залежить від попередньої термообробки (ПТО) кристалів кремнію [1]. Однією з причин цього може бути розчинення в ході ПТО деяких зародків ТД, які завжди є у вихідному кристалі. Наприклад, зародками термодонорних комплексів SiOm можуть бути попередні до них комплекси SiOm-1 [2]. Проблема полягає в тому, що при 450 0С для утворення комплексів навіть з m=2 потрібен коефіцієнт дифузії кисню (DО) в Si на декілька порядків вищий за реальний. Тим більше важко пояснити існування мікроскупчень ТД, що спостерігаються в багатьох роботах [3,4]. Можливим поясненням може бути припущення про існування у вихідному Si мікрофлуктуацій концентрації домішки кисню (МФК), в яких локальна концентрація атомів кисню значно вища за інтегральну. Тому атоми кисню вже у вихідному стані можуть знаходитись достатньо близько щоб встигнути утворити комплекси. Таким чином МФК також можна асоціювати з поняттям зародків для ТД. Встановлення дійсної природи зародків принципово важливо для розробки засобів підвищення термостабільності Si. Мета роботи, результати якої подано в третьому розділі, полягала саме в визначенні який з цих двох типів зародків більше відповідає дійсності. Вплив МФК на кінетику накопичення і відпалу ТД після попередньої термообробки може істотно відрізнятися від впливу зародків у вигляді преципітатів SiOm-1.
Нами досліджувався вплив попередньої високотемпературної термообробки Si на кінетику генерації ТД, адже відомо, що така ТО уповільнює процеси утворення термодонорів [5]. Основною причиною такого впливу термообробки вважається зменшення кількості зародків майбутніх термодонорних комплексів у формі SiOm-1. [6]. При дослідженні використовувались зразки, вирізані з одного монокристалу бездислокаційного Si без будь-яких термообробок після вирощування. Вимірювання питомого електроопору  виконувалися 4-х зондовим методом при кімнатній температурі. Концентрація вільних електронів (ne) визначалася з , враховуючи, що рухливість електронів при цій температурі становить 1350 см2 / (Вс). Сумарна (тобто всiх типів) концентрація термодонорів (Nтд) визначалася з різниці nі- n0, де n0, nі – концентрація вільних електронів у вихідних та термооброблених зразках відповідно (нехтуючи термоакцепторами, що утворюються при 800 Со за 30 хвилин, концентрація яких na на порядок вищі ніж в Si легованому гадолінієм. Преципітати гадолінія є ефективним гетером первинних радіаційних дефектів в кремнії. Отримані результати викликають запитання: чому частинки SiO2-фази (ефективний гетер для технологічних домiшок), створюючи напруження на порядок більшi анiж ті, що створюються в кремнії преципітатами гадолінія, не впливають на накопичення радіаційних дефектів. Можна лише припустити, що механiзм внутрiшнього гетерування радіаційних дефектів в кремнії та роль ВПН в цьому процесі складнiші нiж це вважалося ранiше.

В заключній частині приведено перелік головних результатів досліджень та загальні висновки.

ГОЛОВНІ РЕЗУЛЬТАТИ ТА ВИСНОВКИ:

1.Експериментально показано, що попередня ТО при 8000С приводить до збільшення енергії активації відпалу та частотного фактора відпалу термодонорів, сформованих в Si при 4500С з Ea =1,64 – 1,88 еВ; ( =6.3 108 – 2.3 107 с-1) до Ea=2,3 – 2,47 еВ; ( =1.8 1011 – 2.4 1012 с-1). Отримані дані пояснюються впливом ПТО-800 на мікрофлуктуації домішки кисню, які є у вихідному кристалі. Зроблено оцінку їх лінійних розмірів, яка сягає сотень ангстрем.
2. Результати аналізу кінетики накопичення та відпалу ТД-450 дозволяють вважати, що прискорена дифузія атомів кисню в Si зумовлена впливом пружних деформацій, створюваних мікрофлуктуаціями концентрації цієї домішки, а самі мікрофлуктуації відіграють роль зародків для преципітації кисню, в тому числі і в формі термодонорів.
3. Виявлено, що відпал Si при 5300С приводить до появи трьох нових енергетичних рівнів, які належать мілким термодонорам. Енергія їх іонізації знаходиться в межах (0.019-0.058)еV і залежить від тривалості відпалу: при збільшенні часу термообробки енергія іонізації зменшується. З результатів вимірів DLTS встановлено, що зі збільшенням часу відпалу має місце перебудова цих термодонорів, яка проявляється у зникненні більш глибоких рівнів при одночасному збільшенні концентрації мілкіших. Вперше виявлено існування ТД з аномально малим перерізом захоплення електронів (10-18 – 10-20 см-2)
4. Показано, що термодефекти, які вводяться при ТО-5300С не змінюють своїх параметрів під дією електронного опромінення і не впливають на накопичення основних радіаційних дефектів Si (А- та Е-центрів, дивакансій). Для пояснення аномально слабкої взаємодії ТД-530 з рухомими зарядами у вигляді вільних електронів та заряджених радіаційних вакансій запропоновано модель, згідно якої це є наслідком екранування ТД-530 в мікроскупченнях. Отримано кількісну оцінку локальної концентрації ТД-530 в мікроскупченнях, що може сягати 1017- 1019см-3.
5. Виявлено, що термообробка при 10500С приводить до виникнення сильних внутрішніх пружних напружень в кристалах Si. Інтенсивність цих напружень перевищує інтенсивність внутрішніх напружень, що створюються всіма відомими на цей час домішками, в тому числі ізовалентними та рідкоземельними елементами. Зі збільшенням часу ТО при 10500 С, ці напруження зростають за законом t3/2.
6. З порівняльного аналізу кінетики розпаду твердого розчину домішки кисню та кінетики зростання внутрішніх пружних напружень в кристалах кремнію, встановлено, що причиною виникнення ВПН в ході ТО-1050 є утворення та зростання розмірів мікрочастинок SiO2- фази.

ОСНОВНІ РЕЗУЛЬТАТИ ДИСЕРТАЦІЇ
ВИКЛАДЕНО В ПУБЛІКАЦІЯХ

1. Неймаш В.Б., Сірацький В.М., Крайчинський А.М., Пузенко О.О. «Про деякі властивості термодонорів, що утворюються в кремнії при 530 0С»// УФЖ.-1998.- т.43, в.2, с.219-223.
2. Кустов В.Е., Неймаш В.Б., Тріпачко М..О., Пузенко О.О., Красько М.М. «Вплив преципітації домішки кисню при 1050 0С на пружні напруження в кремнії»// УФЖ.-1998.- т.43, в.5, с.626-629.
3. Неймаш В.Б., Пузенко О.О., Кабалдін О.М., Крайчинський А.М., Красько М.М. “Про деякі особливості генерації та відпалу термодонорів в кремнії”// УФЖ.-1999.- т.44, в.8, с.1011-1016.
4. Неймаш В.Б., Крайчинский А.Н., Кабалдин А.Н., Цмоць В.М., Пузенко Е.А., Красько Н.Н. «Роль микронеоднородного распределения стоков для компонентов пар Френкеля в радиационной деградации свойств монокристалического кремния»,Тезисы межгосударственной конференции по физике радиационных явлений и радиационному материаловедению (3-10 сентября 1998 года, г.Алушта), ВАНТ, в.3(69), 4(70) с.43-44.
5. Неймаш В.Б., Крайчинский А.Н., Кабалдин А.Н., Цмоць В.М., Пузенко Е.А., Красько Н.Н. «Роль микронеоднородного распределения стоков для компонентов пар Френкеля в радиационной деградации свойств монокристаллического кремния»// ВАНТ.-1998.-в.73-74, с. 121-125.
6. Неймаш В.Б., Сирацкий В.М., Крайчинский А.Н., Пузенко Е.А. “Электрические свойства кремния, термообработанного при 530 0С»// ФТП.-1998.- т.32, №9, с.1049-1053.
7. Neimash V.B., Siratskii V.M., Kraichinskii A.M. and Puzenko O.O., Claeys C. and Simoen E. “Thermal oxygen donors with an anomalus small electron capture cross section” Electrochemical Society Proceedings.- 1998, V.98-13, p.200-210.
Список літератури, що цитувалася:
1.Bourret A.// Proc. 3rd Intern. conf. on semiconductors/ Ed. by L.C. Kimerling, J.M.Parsey, Jr.- Coronado, 1984.- New York: Met. Soc. of AIME, 1985.- P. 129-146.
2. Kaizer W., Frisch H., Reiss H. Mechanism of the Formation of Donor States in Heat-Treated Silicon // Phys.Rev.-1958.-V.112, N 5.-P. 1546-1554.
3.Кабалдин А.Н., Неймаш В.Б., Цмоць В.М., Шаховцов В.И., Батунина А.В., Воронков В.В., Воронкова Г.И., Калинушкин В.П Влияние термодоноров на малоугловое рассеяние света в кремнии// УФЖ.- 1993.- Т. 38.- N 1, С. 34-39.
4.Кабалдін О.М., Неймаш В.Б., Цмоць В.М., Шпінар Л.І. Механізми впливу термодонорів на холівську рухливість у Si // УФЖ.- 1995.- Т.40, N 10, С. 1079-1082.
5. Markevich V.P., Murin L.I Thermal Donor Formation in Pre-Heat-Treated n-Si:O Crystals// Phys. Stat. Solidi.- 1989.- v.A111, N 2.- P. K149-K154.
6. Murin L.I., Markevich V.P. // Proc. Int. Conf. on Sciense and Technology of Defect Control in Semiconductors, Yokohama, Japan, 1989, Ed. by K. Sumino (North-Holland, Amsterdam, 1990) P. 190.
7. В.М.Бабич, Н.И.Блецкан, Е.Ф.Венгер //Кислород в монокристаллах кремния. Киев. – «Интерпресс ЛТД».-1997, 239 с.
8. Крайчинский А.Н., Неймаш В.Б., Саган Т.Р., Сирацкий В.М., Цмоць В.М., Шаховцов В.И., Шиндич В.Л. Радиационное дефектообразование в Si, термообработанном при 10500С.- УФЖ, т.34, N7, с. 1071-1074 (1989)
Пузенко О.О. Дослідження процесів утворення та відпалу термодефектів в кремнії.- Рукопис.
Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук із спеціальності 01.04.07 – фізика твердого тіла.- Інститут фізики НАН України, Київ, 1999р.
Дисертацію присвячено подальшому вивченню природи та властивостей кисневих термодефектів в кремнії. Досліджувались властивості термодонорів, які утворюються в Si при його термообробці при 4500С та 5300С, а також зміна внутрішніх пружних напружень гратки кремнію при утворенні в його об‘ємі частинок SiO2 -фази.
Виявлено, що попередня обробка кремнію при 8000С приводить до зміни параметрів відпалу термодонорів-450, що пояснюється більш однорідним розподілом домішки кисню. Лінійні розміри мікрофлуктуацій домішки кисню в кремнії сягають сотні ангстрем.Термодонори утворюються в скупченнях з високою локальною концентрацією, проявляючи при цьому властивості не властиві окремому дефектові (наприклад аномально малий переріз захоплення електронів, відсутність взаємодії з первинними радіаційними дефектами).
Ключові слова: кремній, мікрофлуктуації домішки кисню, термообробка, термодонори, відпал термодефектів.
Puzenko E. The investigation of generation processes and annealing of thermodefects in silicon. Manuscript.
Thesis for a candidate’s degree by speciality 01.04.07 – solid-state physics.- Institute of Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, 1999.
Thesis for a candidate’s degree is devoted to investigation of the nature and behavior of oxygen thermodefects in silicon. The properties of so-called thermal donors (TD) generated in silicon crystals by means a heat treatment at 4500C and 5300C and variation of internal elastic lattice strain under heat treatment at 1050 0C were studied.
It was found that priliminary heat treatment of silicon under 8000 C leads to change of annealing parameters of thermodonors-450 and it can be explained by more homogeneous distribution of oxygen impurity. The linear size of impurity oxygen microfluctuation is up to 100Е. Thermodonors are created in micro-accumulations with high local concentration and have specific properties (for examle anomaleously cross-section of electrons, non-interaction with primary radiation defects).
Key words: silicon, impurity oxygen microfluctuation, heat treatment, thermodonors, annealing of thermodefects.

Пузенко Е.А. Исследование процессов образования и отжига термических дефектов в кремнии.- Рукопись.
Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук по специальности 01.04.07 – физика твердого тела.- Институт физики Национальной Академии Наук Украины, Киев, 1999 г.
Диссертация посвящена изучению природы и свойств кислородных термодефектов в кремнии с целью получения методов управляемого влияния на свойства материаллов для микроылектроники. Получены результаты полезные для разработки перспективного метода повышения термостабильности кремния с помощью контроля микронеоднородности распределения кислорода в выращенных кристаллах. Исследовались свойства термодоноров, образующихся в Si при его термообработке при 4500С и 5300С, а также изменение внутренних упругих напряжений решетки кремния при термообработках в области 10500С.
Обнаружено, что предварительная высокотемпературная обработка кремния приводит к более однородному распределению примеси кислорода. В результате, процессы образования и отжига кислородных термодоноров проходят с большей энергией активации, чем в том случае, когда диффузия атомов кислорода ускорена в полях упругих деформаций, вызванных микрофлуктуациями примеси кислорода. Ускорение диффузии кислорода дает возможность объяснить реально наблюдаемые скорости введения кислородных термодоноров в кремнии.
Выявлено, что линейные размеры микрофлуктуаций примеси кислорода в кремнии достигают сотни ангстрем.
Обнаружено, что термообработка кремния при 5300С приводит к возникновению в его запрещенной зоне трех новых уровней, которые принадлежат мелким термодонорам. Энергия их ионизации зависит от длительности термообработки: с увеличением времени отжига энергия ионизации уменьшается. Из результатов измерений DLTS, установлено, что во время термообработки происходит перестройка этих термодоноров, которая проявляется в уменьшении глубоких уровней при одновременном возникновении более мелких. Выявленные термодоноры характеризуются аномально малым сечением захвата (10-18 – 10-20 см-2), не изменяют своих параметров под действием электронного облучения и не влияют на накопление основных радиационных дефектов Si (А-, Е-центров, дивакансий). Для объяснения аномально малого взаимодействия ТД-530 с подвижными зарядами в виде электронов и заряженых радиационных вакансий, предложена модель, согласно которой это есть следствием экранирования ТД-530 в микроскоплениях. Количественная оценка концентрации ТД-530 в микроскоплении достигает величины 1017- 1019см-3.
Экспериментальные и теоретические исследования позволили установить количественную взаимосвязь между изменением внутренних упругих напряжений решетки и размерами частиц SiO2 -фазы, которые образуются при термообработке кислородосодержащего кремния при 10500С. Выявлено, что увеличение напряжений корелирует с увеличением размеров кислородных частиц. Ключевые слова: кремний, микрофлуктуации примеси кислорода, термообработка, термодоноры, отжиг термодефектов.
.

Нашли опечатку? Выделите и нажмите CTRL+Enter

Похожие документы
Обсуждение

Оставить комментарий

avatar
  Подписаться  
Уведомление о
Заказать реферат!
UkrReferat.com. Всі права захищені. 2000-2019